特許
J-GLOBAL ID：200903046124665995
複合素子およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-189651
公開番号（公開出願番号）：特開平11-040888
出願日： 1997年07月15日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：
【要約】【課題】 互いに成長温度が異なる素子層を用いた複数の電子または光素子の各素子層の劣化を生じることなく製造することができる複合素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 互いに成長温度が異なる素子層を用いた複数の電子または光素子を同一基板上に設けた複合素子を製造する場合に、これらの複数の電子または光素子の素子層を成長温度が高い素子層から順次成長させる。例えば、III-V族化合物半導体層、IV族半導体層、有機発光体層、磁性半導体層または誘電体層を基板上に成長させて電子または光素子を形成した後、それらの成長温度より低い成長温度でII-VI族化合物半導体層を成長させて半導体レーザなどを形成する。
請求項（抜粋）：
互いに成長温度が異なる素子層を用いた複数の電子または光素子が基板上に設けられた複合素子であって、上記素子層の成長温度が上層の上記電子または光素子ほど低いことを特徴とする複合素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
前のページに戻る
