特許
J-GLOBAL ID：200903046130917874
炭化珪素単結晶育成用種結晶、炭化珪素単結晶インゴット、及びこれらの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八田 幹雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-378265
公開番号（公開出願番号）：特開2003-176200
出願日： 2001年12月12日
公開日（公表日）： 2003年06月24日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、欠陥密度が極めて小さい大口径単結晶炭化珪素ウエハを取り出せる炭化珪素単結晶の製造を可能にする、炭化珪素単結晶インゴット育成用種結晶、及びそれを用いた単結晶炭化珪素インゴット、及びこれらの製造方法を提供することをその目的とする。【解決手段】 種結晶上に、フォトリソグラフィーによって主として炭素からなるマスク層を形成し、そのマスク越しに炭化珪素単結晶をエピタキシャル成長させつつ、その単結晶成長途中でフォトリソグラフィーにより新たにマスク層を形成し、該マスク越しに炭化珪素単結晶エピタキシャル成長を行うことを少なくとも1回は行い、かつ、各マスク層のマスク部分の種結晶表面上への投影が種結晶表面上への投影像が種結晶表面を完全に遮蔽するように各マスク層のマスク部位置を配置する。
請求項（抜粋）：
昇華再結晶法による炭化珪素単結晶インゴットの製造に用いられる種結晶であって、炭化珪素単結晶からなる種結晶中に、炭素を含んでなるマスク部と、開口部とからなるマスク層を複数含むことを特徴とする炭化珪素単結晶育成用種結晶。
Fターム (9件)：
4G077AA02
, 4G077BE08
, 4G077DA02
, 4G077DA19
, 4G077EA02
, 4G077EA03
, 4G077ED01
, 4G077HA02
, 4G077SA04
