特許
J-GLOBAL ID：200903046131874621

ガラスセラミック組成物、ガラスセラミック焼結体およびその製造方法、並びにそれを用いた配線基板、薄膜配線基板

発明者：
川井 信也

川井 信也 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-312156
公開番号（公開出願番号）：特開2005-306714
出願日： 2004年10月27日
公開日（公表日）： 2005年11月04日
要約：
【課題】金、銀、銅等の低抵抗金属との同時焼成が可能で、アルミナよりも低い誘電率を有し、かつ高強度、高ヤング率特性を有し、さらに低い誘電率と低い誘電損失を有するガラスセラミック焼結体を得ることのできるガラスセラミック組成物と、ガラスセラミック焼結体およびその製造方法、並びにかかるガラスセラミック焼結体を用いた配線基板、薄膜配線基板を提供する。【解決手段】少なくともSiO2:20〜60質量%、B2O3:2〜30質量%、Al2O3:5〜25質量%、MgO:8〜35質量%、BaO:10〜35質量%、を必須成分として含有し、かつMgO/SiO2の質量比が0.20〜0.85であり、かつ、実質的にZnOおよびTiO2を含有しないガラス粉末:35〜80質量%と、セラミック粉末:20〜65質量%、とを含有する混合粉末を1000°C以下の低温で焼成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
少なくとも SiO2 20〜60質量%、 B2O3 2〜30質量%、 Al2O3 5〜25質量%、 MgO 8〜35質量%、 BaO 10〜35質量% を必須成分として含有し、MgO/SiO2の質量比が0.2〜0.87であり、 かつ、実質的にZnOおよびTiO2を含有しないガラス粉末を35〜80質量%と、セラミック粉末を20〜65質量%とを含有することを特徴とするガラスセラミック組成物。
IPC (5件)：
C04B35/16 ,  C04B35/495 ,  H01B3/02 ,  H05K1/03 ,  H05K3/46
FI (6件)：
C04B35/16 Z ,  H01B3/02 A ,  H05K1/03 610D ,  H05K3/46 H ,  H05K3/46 T ,  C04B35/00 J
Fターム (72件)：
4G030AA01 ,  4G030AA07 ,  4G030AA08 ,  4G030AA09 ,  4G030AA10 ,  4G030AA11 ,  4G030AA12 ,  4G030AA13 ,  4G030AA17 ,  4G030AA35 ,  4G030AA36 ,  4G030AA37 ,  4G030AA39 ,  4G030BA09 ,  4G030BA20 ,  4G030CA01 ,  4G030CA08 ,  4G030GA01 ,  4G030GA04 ,  4G030GA11 ,  4G030GA14 ,  4G030GA15 ,  4G030GA17 ,  4G030GA20 ,  4G030GA25 ,  4G030GA27 ,  4G030HA09 ,  4G030HA25 ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA32 ,  5E346AA38 ,  5E346BB01 ,  5E346CC18 ,  5E346CC32 ,  5E346CC34 ,  5E346CC38 ,  5E346CC39 ,  5E346DD02 ,  5E346DD15 ,  5E346DD34 ,  5E346EE24 ,  5E346EE27 ,  5E346EE29 ,  5E346GG02 ,  5E346GG04 ,  5E346GG09 ,  5E346GG10 ,  5E346HH11 ,  5E346HH33 ,  5G303AA05 ,  5G303AB06 ,  5G303AB07 ,  5G303AB12 ,  5G303AB15 ,  5G303BA12 ,  5G303CA03 ,  5G303CB01 ,  5G303CB02 ,  5G303CB03 ,  5G303CB06 ,  5G303CB14 ,  5G303CB15 ,  5G303CB16 ,  5G303CB17 ,  5G303CB20 ,  5G303CB30 ,  5G303CB31 ,  5G303CB32 ,  5G303CB39 ,  5G303CB40 ,  5G303DA05
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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