特許
J-GLOBAL ID：200903005556315555

ガラスセラミック焼結体および配線基板

発明者：
川井 信也

川井 信也 について

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冨迫 正浩

冨迫 正浩 について

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児玉 和善

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出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-149243
公開番号（公開出願番号）：特開2003-342060
出願日： 2002年05月23日
公開日（公表日）： 2003年12月03日
要約：
【要約】【課題】銀、銅、金等の低抵抗金属との同時焼成が可能であり、高い強度、高いヤング率、高い破壊靭性、高い熱伝導率、かつ高耐薬品性を有するガラスセラミック焼結体、およびかかる焼結体を用いた配線基板を提供する。【解決手段】(a)フォルステライト結晶相および/またはエンスタタイト結晶相と、(b)アスペクト比3以上の針状晶b1からなるセルシアン結晶相と、(c)Al2O3、SiO2、ZrO2、AlNの群から選ばれる少なくとも1種の結晶相と、を含有してなり、かつ開気孔率が0.3%以下である。
請求項（抜粋）：
(a)フォルステライト結晶相および/またはエンスタタイト結晶相と、(b)アスペクト比3以上の針状晶からなるセルシアン結晶相と、(c)Al2O3、SiO2、ZrO2、AlNの群から選ばれる少なくとも1種の結晶相と、を含有してなり、かつ開気孔率が0.3%以下であることを特徴とするガラスセラミック焼結体。
IPC (5件)：
C04B 35/195 ,  C04B 35/111 ,  H01L 23/15 ,  H05K 1/03 610 ,  H05K 3/46
FI (6件)：
H05K 1/03 610 D ,  H05K 3/46 H ,  H05K 3/46 T ,  C04B 35/18 E ,  C04B 35/10 D ,  H01L 23/14 C
Fターム (34件)：
4G030AA07 ,  4G030AA08 ,  4G030AA10 ,  4G030AA12 ,  4G030AA17 ,  4G030AA35 ,  4G030AA36 ,  4G030AA37 ,  4G030AA51 ,  4G030BA12 ,  4G030BA20 ,  4G030BA21 ,  4G030CA01 ,  4G030CA04 ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346BB01 ,  5E346CC18 ,  5E346CC32 ,  5E346CC34 ,  5E346CC38 ,  5E346CC39 ,  5E346DD22 ,  5E346DD34 ,  5E346EE24 ,  5E346EE29 ,  5E346FF18 ,  5E346FF35 ,  5E346GG03 ,  5E346GG09 ,  5E346GG10 ,  5E346HH01 ,  5E346HH11 ,  5E346HH17
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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