特許

J-GLOBAL ID：200903046175660092

二次元画像検出器

発明者： 和泉 良弘 ,  寺沼 修
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-223844
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058808
出願日： 1998年08月07日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 アクティブマトリクス基板上に300°C以下の低温でCdTeやCdZnTeなどの半導体材料を形成することで、応答性がよく、動画像にも対応できる二次元画像検出器およびその製造方法を提供すること。【解決手段】 画素配列層を含むアクティブマトリクス基板1と、第1の電極部17および半導体層(光導電膜)16を含む対向基板2とを備えており、アクティブマトリクス基板1の画素配列層と、対向基板2の半導体層(光導電膜)16とが対向するように両基板が配置されるとともに、両基板は導電接着材料3によって相互に接続されてなり、アクティブマトリクス基板1上には、対向基板2に含まれる第1の電極部17に信号を入力するための第2の電極部21が形成されるとともに、第1の電極部17および第2の電極部21は電極転移手段22によって電気的に接続されていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

格子状に配列された電極配線と、各格子点毎に設けられた複数のスイッチング素子と、該スイッチング素子を介して前記電極配線に接続される画素電極を含む電荷蓄積容量とからなる画素配列層と、前記画素配列層のほぼ全面に対向して形成される第1の電極部と、前記画素配列層および第1の電極部の間に形成され、光導電性を有する半導体層とを備えてなる二次元画像検出器において、前記画素配列層を含むアクティブマトリクス基板と、前記第1の電極部および半導体層を含む対向基板とを備えており、前記アクティブマトリクス基板の画素配列層と、前記対向基板の半導体層とが対向するように両基板が配置されるとともに、該両基板は導電接着材料によって相互に接続されてなり、前記アクティブマトリクス基板上には、前記対向基板に含まれる第1の電極部に信号を入力するための第2の電極部が形成されるとともに、該第1の電極部および第2の電極部は電極転移手段によって電気的に接続されていることを特徴とする二次元画像検出器。

IPC (5件)：

H01L 27/146 ,  G01T 1/00 ,  G01T 1/24 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/09

FI (5件)：

H01L 27/14 F ,  G01T 1/00 B ,  G01T 1/24 ,  H01L 27/14 K ,  H01L 31/00 A

Fターム (46件)：

2G088EE30 ,  2G088FF02 ,  2G088GG17 ,  2G088GG19 ,  2G088GG21 ,  2G088JJ05 ,  2G088JJ09 ,  2G088JJ31 ,  2G088JJ33 ,  2G088JJ37 ,  2G088LL15 ,  2G088LL18 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA19 ,  4M118CA03 ,  4M118CA05 ,  4M118CA06 ,  4M118CA07 ,  4M118CA32 ,  4M118CB05 ,  4M118CB06 ,  4M118CB11 ,  4M118CB14 ,  4M118EA01 ,  4M118FB08 ,  4M118FB13 ,  4M118FB16 ,  4M118GA10 ,  4M118HA20 ,  4M118HA24 ,  4M118HA26 ,  5F088AA03 ,  5F088AA04 ,  5F088AA11 ,  5F088AB05 ,  5F088AB09 ,  5F088BA02 ,  5F088BB03 ,  5F088CA01 ,  5F088CB07 ,  5F088FA04 ,  5F088FA05 ,  5F088GA02 ,  5F088GA03 ,  5F088LA07

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 放射線2次元検出器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-213186   出願人：株式会社島津製作所, 日本放送協会
• X線平面検出器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-161977   出願人：株式会社東芝
• 特開昭63-300559