半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-187330
公開番号（公開出願番号）：特開平10-032196
出願日： 1996年07月17日
公開日（公表日）： 1998年02月03日
要約：

【要約】【課題】耐湿性があり、かつ比誘電率が3.0以下で、平坦性に優れた絶縁薄膜を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板上の金属配線上に配置される絶縁薄膜を、F、Nを含む環状炭化水素、特にそのポリマーより形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けられた金属配線を被覆するように形成された絶縁薄膜を含む半導体装置であって、上記絶縁薄膜が、F、Nを含む環状炭化水素より形成され、その比誘電率が3.0以下であることを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (2件)

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