特許

J-GLOBAL ID：200903046198854927

ストロンチウムシリケート系蛍光体及びその製造方法

発明者： キム チャンヘ ,  パク ジョンギュ ,  パク ヒドン ,  イム ミエ
出願人/特許権者： コリア・リサーチ・インスチチュート・オブ・ケミカル・テクノロジー
代理人 (1件)： 山口 朔生
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-518196
公開番号（公開出願番号）：特表2006-511697
出願日： 2004年01月29日
公開日（公表日）： 2006年04月06日
要約：

【課題】 長波長紫外線発光ダイオード及び自己発光型液晶ディスプレイなどに適用され色純度の改善を可能とし発光効率を高める。【解決手段】 Sr2-SiO4:Eu2+x(0.001≦x≦1)と表示されるストロンチウムシリケート系蛍光体及びその製造方法。

請求項（抜粋）：

化学式1で表示されることを特徴とするストロンチウムシリケート系蛍光体。 [化学式1] Sr2-xSiO4:Eu2+x(0.001≦x≦1)

IPC (3件)：

C09K 11/59 ,  C09K 11/08 ,  H01L 33/00

FI (4件)：

C09K11/59 ,  C09K11/08 B ,  C09K11/08 J ,  H01L33/00 N

Fターム (19件)：

4H001CA05 ,  4H001CF02 ,  4H001XA07 ,  4H001XA08 ,  4H001XA14 ,  4H001XA31 ,  4H001XA38 ,  4H001XA49 ,  4H001YA63 ,  5F041AA11 ,  5F041CA40 ,  5F041DA07 ,  5F041DA12 ,  5F041DA18 ,  5F041DA26 ,  5F041DA43 ,  5F041DA58 ,  5F041DB01 ,  5F041FF11

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体発光素子とこれを用いた発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-305031   出願人：松下電器産業株式会社
• ケイ酸塩長残光の発光材料及びその製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平10-544399   出願人：ザイアオ,ジグオ, ザイアオ,ジキアング
• 視感度の高い蛍光体による発光デバイス
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-585941   出願人：ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
• エレクトロルミネッセンス材料、エレクトロルミネッセンス素子及び色変換フィルター
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-365996   出願人：コニカ株式会社
• 無機蛍光体分散物の製造方法及び無機蛍光体分散物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-030809   出願人：コニカ株式会社

引用文献：

審査官引用 (4件)

• "Fluorescene of Eu2+-Activated Silicates"
• Optical properties of Eu2+ - activated orthosilicates and orthophosphates
• "Fluorescene of Eu2+-Activated Silicates"
• Optical properties of Eu2+ - activated orthosilicates and orthophosphates