低スイッチング損失、低ノイズを両立するパワーMOS回路

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：吉田研二 , 石田純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-074030
公開番号（公開出願番号）：特開2007-288774
出願日： 2007年03月22日
公開日（公表日）： 2007年11月01日
要約：

【課題】MOSFETを含むスイッチング回路においてサージ電圧を抑制する。【解決手段】ゲート端子に入力される制御電圧によってドレイン電流を制御するMOSFET30を含むスイッチング回路100であって、コンデンサ42を介してMOSFET30のドレイン端子をダイオード40のアノード端子に接続し、MOSFET30のゲート端子をダイオード40のカソード端子に接続する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ゲート又はベース端子に入力される信号によってドレイン又はコレクタ電流を制御するトランジスタを含むスイッチング回路であって、前記トランジスタのドレイン又はコレクタ端子は、コンデンサを介してダイオードのアノード端子に接続され、前記トランジスタのゲート又はベース端子は、前記ダイオードのカソード端子に接続されていることを特徴とするスイッチング回路。

IPC (9件)：

H03K 17/16 , H03K 17/687 , H03K 17/56 , H03F 1/26 , H01L 21/822 , H01L 27/04 , H01L 27/06 , H01L 29/78 , H01L 21/823

FI (13件)：

H03K17/16 M , H03K17/687 A , H03K17/56 Z , H03F1/26 , H01L27/04 H , H01L27/04 C , H01L27/04 F , H01L27/06 311B , H01L29/78 652H , H01L29/78 653A , H01L29/78 652N , H01L29/78 657C , H01L27/06 102A

Fターム (62件)：

5F038AC03 , 5F038AC05 , 5F038AC10 , 5F038AZ06 , 5F038BH02 , 5F038BH03 , 5F038BH04 , 5F038BH13 , 5F038EZ12 , 5F038EZ16 , 5F038EZ20 , 5F048AA02 , 5F048AC06 , 5F048AC10 , 5F048BA06 , 5F048BB19 , 5F048BB20 , 5F048BC03 , 5F048BC12 , 5F048BC18 , 5F048BD07 , 5F048BE04 , 5F048BE09 , 5F048BF16 , 5F048BF18 , 5F048BG12 , 5F048CB07 , 5F048CB08 , 5F048CC01 , 5F048CC05 , 5F048CC06 , 5F048CC15 , 5F048CC18 , 5J055AX26 , 5J055BX16 , 5J055DX09 , 5J055DX22 , 5J055DX55 , 5J055EY01 , 5J055EY10 , 5J055EY12 , 5J055EY13 , 5J055EY21 , 5J055EZ17 , 5J055FX12 , 5J055FX17 , 5J055FX24 , 5J055FX33 , 5J055GX01 , 5J055GX06 , 5J055GX07 , 5J500AA01 , 5J500AC44 , 5J500AF11 , 5J500AH10 , 5J500AH19 , 5J500AH20 , 5J500AH25 , 5J500AH29 , 5J500AH33 , 5J500AQ02 , 5J500AT06

引用特許：

出願人引用 (1件)

MOS-FET を用いた負荷駆動回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-110758 出願人：株式会社東海理化電機製作所

審査官引用 (2件)

特開平2-025107
レベルシフト回路
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-310126 出願人：三菱電機株式会社

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