特許
J-GLOBAL ID：200903046216968544
半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-305830
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145420
出願日： 1997年11月07日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：
【要約】【課題】 アスペクト比が1:2のパッケージに高い有効比率で収容できる22N+1ビットの半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 アスペクト比が1:2の半導体基板2の主表面を3行3列の9個の領域に等分割し、中央領域以外の各領域にアスペクト比が1:2で22N-2ビットのサブアレイ部3を配置する。中央領域には制御回路4およびパッド5群を設ける。アスペクト比が1:2のメモリチップを形成することができ、従来と同様のアスペクト比が1:2のパッケージに高い有効比率で収容できる。
請求項（抜粋）：
22N+1ビットの記憶容量を有する半導体記憶装置であって、その主表面が3行3列の9個の領域に等分割された長方形の半導体基板、および前記半導体基板の前記9個の領域のうちの中央領域以外の各領域に形成され、22N-2ビットの記憶容量を有し、そのアスペクト比が1:2のメモリアレイを備える、半導体記憶装置。
IPC (3件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
, G11C 11/401
H01L 27/10 681 E
, G11C 11/34 371 K
