特許

J-GLOBAL ID：200903082262154205

半導体記憶装置

発明者： 坂下 徳美 ,  有本 和民
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-229175
公開番号（公開出願番号）：特開平9-074171
出願日： 1995年09月06日
公開日（公表日）： 1997年03月18日
要約：

【要約】【課題】 記憶容量が大きくかつ高速動作が可能な半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 このDRAMは、半導体基板10と、単位ブロックU1〜U4とを備える。各単位ブロックは、周辺回路11,12,13または14と、その周辺回路を包囲するように配置された8つのメモリブロックB11〜B18,B21〜B28,B31〜B38またはB41〜B48とを含む。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上であってその中心を包囲するように配置され、各々が、複数のワード線、前記ワード線と交差する複数のビット線、および前記ワード線と前記ビット線との交点に対応する複数のメモリセルを含む複数のメモリブロックと、前記半導体基板上であってその中心に配置され、前記複数のメモリブロックのための周辺回路とを備えた半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  G11C 11/401 ,  H01L 27/10 471

FI (3件)：

H01L 27/10 681 E ,  H01L 27/10 471 ,  G11C 11/34 371 K

引用特許：

審査官引用 (1件)

• データ伝送回路、データ線駆動回路、増幅回路、半導体集積回路及び半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-118193   出願人：松下電器産業株式会社