特許
J-GLOBAL ID：200903046237147184
位相シフトマスクの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮越 典明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-336422
公開番号（公開出願番号）：特開2000-162757
出願日： 1998年11月27日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：
【要約】【課題】 自動的に、かつ正確に、位相差の分布を測定する。【解決手段】 透光性基板101上に、本来のマスクパターンを描画するマスクパターン描画工程と、複数の光透過率測定用パターンを本来のマスクパターンに重ねて、位相シフトマスクに等間隔に配置する測定用パターン配置工程と、光透過率測定用パターンを用いて、隣接する透明領域を透過する投影光の位相差が互いに180度付近となるように前記透光性基板の部分的エッチングを完成させるエッチング工程と、該エッチング工程の完了後に、光透過率測定用パターンのうち、前記本来のマスクパターンの形状変化及び/又は透過率変化をもたらす可能性のあるものを選択的に除去する測定用パターン除去工程を有する。
請求項（抜粋）：
透光性基板上の隣接する透明領域を透過する投影光の位相差を有するように、前記透光性基板のエッチングを実施することにより微細マスクパターンの解像度を向上させる方式の位相シフトマスクの製造方法において、前記透光性基板上に、本来のマスクパターンを描画するマスクパターン描画工程と、前記透光性基板上に、複数の光透過率測定用パターンを前記本来のマスクパターンに重ねて、現在までの位相シフトマスクの面内一杯に等間隔に配置する測定用パターン配置工程と、前記配置された光透過率測定用パターンを用いて、前記隣接する透明領域を透過する投影光の位相差を有するように、前記透光性基板の部分的エッチングを完成させるエッチング工程と、前記エッチング工程の完了後に、前記配置された光透過率測定用パターンのうち、前記本来のマスクパターンの形状変化及び/又は透過率変化をもたらす可能性のあるものを選択的に除去する測定用パターン除去工程を有すること、を特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
2H095BB02
, 2H095BB03
, 2H095BB10
, 2H095BC28
, 2H095BD01
, 2H095BD31
, 2H095BE02
