半導体レーザ素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西教圭一郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-339543
公開番号（公開出願番号）：特開平9-097945
出願日： 1995年12月26日
公開日（公表日）： 1997年04月08日
要約：

【要約】【目的】活性層へのキャリア閉じ込めを確実にしつつ、内部損失および電気抵抗を低く抑えて、高効率で高出力の半導体レーザ素子を提供する。【構成】半導体基板20上に、順次、第2n型クラッド層11、第1n型クラッド層12、n型キャリアブロック層13、活性層14、p型キャリアブロック層15、第1p型クラッド層16、第2p型クラッド層17、電流狭窄層18、p型コンタクト層19が形成される。キャリアブロック層13、15を1×1018cm-3以上の高ドーピング濃度に、第1クラッド層12、16および第2クラッド層11、17を3×1017cm-3以下の低ドーピング濃度に形成している。p型キャリアブロック層15のドーパントとして、拡散性の低い炭素またはマグネシウムを用いる。

請求項（抜粋）：

活性層の両側にn型およびp型クラッド層を設け、前記活性層に近接して前記活性層および前記両クラッド層の禁制帯幅以上の禁制帯幅を有するn型キャリアブロック層およびp型キャリアブロック層をそれぞれ設けた半導体レーザ素子において、p型キャリアブロック層のドーパントが炭素またはマグネシウムであることを特徴とする半導体レーザ素子。

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭55-096695
半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-018476 出願人：シャープ株式会社
特開昭60-225490

全件表示

前のページに戻る