特許

J-GLOBAL ID：200903046253928773

半導体加速度センサ

発明者： 青木 亮 ,  片岡 万士 ,  江田 和夫 ,  古久保 英一
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 安藤 淳二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-319320
公開番号（公開出願番号）：特開2004-151052
出願日： 2002年11月01日
公開日（公表日）： 2004年05月27日
要約：

【課題】オフセット温度特性を悪化させず熱ヒステリシスを低減する半導体加速度センサを提供する。【解決手段】半導体基板からなるフレーム1と、フレーム1内に配置された錘部2と、錘部2をフレーム1に吊り下げるように連結するビーム3とを備えてなる半導体加速度センサであって、センサ内部からの信号をセンサ外部に出力可能な複数の出力可能電極4を、ビーム3と平行であり、かつ錘部2の重心を通るフレーム1に垂直面である第1面に対して対称となるようにフレーム1上に設ける。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板からなるフレームと、該フレーム内に配置された錘部と、該錘部を前記フレームに吊り下げるように連結するビームとを備えてなる半導体加速度センサであって、 センサ内部からの信号をセンサ外部に出力可能な複数の電極を、前記ビームと平行であり、かつ前記錘部の重心を通る前記フレームに垂直面である第1面に対して対称となるように前記フレーム上に設けたことを特徴とする半導体加速度センサ。

IPC (2件)：

G01P15/12 ,  H01L29/84

FI (2件)：

G01P15/12 D ,  H01L29/84 A

Fターム (21件)：

4M112AA02 ,  4M112BA01 ,  4M112CA21 ,  4M112CA22 ,  4M112CA23 ,  4M112CA24 ,  4M112CA28 ,  4M112CA31 ,  4M112DA03 ,  4M112DA04 ,  4M112DA12 ,  4M112DA15 ,  4M112DA18 ,  4M112EA02 ,  4M112EA06 ,  4M112EA11 ,  4M112EA13 ,  4M112FA04 ,  4M112FA05 ,  4M112FA07 ,  4M112FA09

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体加速度センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-157335   出願人：松下電工株式会社
• 半導体加速度センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-041846   出願人：松下電工株式会社
• 特開昭61-165602
  
• 特開昭61-165602