半導体加速度センサ

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：安藤淳二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-041846
公開番号（公開出願番号）：特開平11-237400
出願日： 1998年02月24日
公開日（公表日）： 1999年08月31日
要約：

【要約】【課題】撓み部がアルミニウム配線部の熱応力歪みに影響されず、印加された加速度に対して電気信号を精度良く出力できる半導体加速度センサを提供する。【解決手段】重り部1に加速度が印加されることによって撓むよう一端を重り部1に接続した撓み部2と、撓み部2の撓みに基づいて加速度を電気信号に変換するよう撓み部2に形成されたセンサ部と、重り部1を外囲して撓み部2の他端を支持する支持部4と、センサ部3に接続された半導体配線部5とがシリコン半導体基板Fに形成されて、そのシリコン半導体基板Fの一面F1に薄膜状に形成されたアルミニウム配線部6が半導体配線部5に接続されるとともに、シリコン半導体基板Fとの熱膨張率の差に基づいて熱応力歪みを発生する半導体加速度センサにおいて、前記アルミニウム配線部6は、前記熱応力歪みから前記撓み部2を絶縁し得る所定間隔以上の間隔を設けて配置された構成にしてある。

請求項（抜粋）：

重り部と、重り部に加速度が印加されることによって撓むよう一端を重り部に接続した撓み部と、撓み部の撓みに基づいて加速度を電気信号に変換するよう撓み部に形成されたセンサ部と、重り部の外周縁を空間を設けて外囲して撓み部の他端を支持する支持部と、センサ部に接続された半導体配線部とがシリコン半導体基板に形成されて、半導体基板の一面に薄膜状に形成されたアルミニウム配線部が半導体配線部に接続されるとともに、シリコン半導体基板との熱膨張率の差に基づいて熱応力歪みを発生する半導体加速度センサにおいて、前記アルミニウム配線部は、前記熱応力歪みから前記撓み部を絶縁し得る所定間隔以上の間隔を設けて配置されたことを特徴とする半導体加速度センサ。

IPC (3件)：

G01P 15/08 , G01P 15/12 , H01L 29/84

FI (3件)：

G01P 15/08 Z , G01P 15/12 , H01L 29/84 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

増幅回路内蔵型半導体センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-239933 出願人：株式会社デンソー
半導体歪みセンサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-188401 出願人：日本電装株式会社
特開昭63-041080

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