特許

J-GLOBAL ID：200903046271143856

基板処理方法及び半導体装置の製造方法

発明者： 廣瀬 実
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-176768
公開番号（公開出願番号）：特開2004-022856
出願日： 2002年06月18日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：

【課題】薄膜の成膜後又は洗浄後の基板を、雰囲気中の有機物等から分子汚染されることなく保管し、次工程における半導体基板の使用の際に、成膜又は洗浄直後と同様の清浄な基板表面状態を確保する。【解決手段】薄膜の成膜又は洗浄後の基板表面に予め容易に除去可能な水溶性有機溶剤を塗布し、基板表面に分子レベルのラッピングを行って保管し、保管された当該基板にレジストを塗布する前に、基板表面に疎水化処理、具体的にはヘキサメチルジシラザンを用いて基板表面の水酸基をトリメチルシリル基に置換する。その後、塗布した水溶性有機物の沸点を超える温度で基板を加熱処理する。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

基板表面に水溶性有機溶剤を塗布する工程と、 前記基板表面を疎水化処理する工程と、 前記水溶性有機溶剤の沸点以上の温度で前記基板を加熱処理する工程と を含むことを特徴とする基板処理方法。

IPC (2件)：

H01L21/027 ,  G03F7/38

FI (2件)：

H01L21/30 563 ,  G03F7/38 501

Fターム (6件)：

2H096AA25 ,  2H096CA01 ,  2H096CA02 ,  2H096LA30 ,  5F046HA01 ,  5F046HA07

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 基板の表面処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-129194   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体基板表面処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-190464   出願人：日本電気株式会社
• 特開平4-276619