特許
J-GLOBAL ID：200903046302793226

窒化物半導体の製造方法及び半導体ウエハ並びに半導体デバイス

発明者：
藤倉 序章

藤倉 序章 について

, 
飯塚 和幸

飯塚 和幸 について


出願人/特許権者：
日立電線株式会社

日立電線株式会社 について


代理人 (1件)： 高石 橘馬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-185486
公開番号（公開出願番号）：特開2005-019872
出願日： 2003年06月27日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：
【課題】高濃度のSiを添加せずに窒化物半導体の転位密度を1×108個/cm2以下とすることができる窒化物半導体の製造方法、並びにかかる方法により得られた残留Siによる汚染のない窒化物半導体を有する窒化物半導体ウエハ及び窒化物半導体デバイスを提供する。【解決手段】基板上に少なくとも第1〜第3の窒化物半導体層を成長させる窒化物半導体の製造方法であって、第1の窒化物半導体層を400〜600°Cで成長させ、第1の窒化物半導体層を700〜1,300°Cで熱処理した後、第1の窒化物半導体層の上に700〜1,300°Cで第2及び第3の窒化物半導体層を成長させ、原料ガスとともに基板近傍へ供給するキャリアガスとして、第2の窒化物半導体層の成長時には水素を63体積%以上含有する水素/窒素混合ガスを使用し、第3の窒化物半導体層の成長時には窒素を50体積%以上含有する水素/窒素混合ガスを使用し、かつ第2の窒化物半導体層を1μmより厚く形成する方法。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に少なくとも第1〜第3の窒化物半導体層を成長させる窒化物半導体の製造方法であって、前記第1の窒化物半導体層を400〜600°Cで成長させ、前記第1の窒化物半導体層を700〜1,300°Cで熱処理した後、前記第1の窒化物半導体層の上に700〜1,300°Cで前記第2及び第3の窒化物半導体層を成長させ、原料ガスとともに前記基板近傍へ供給するキャリアガスとして、前記第2の窒化物半導体層の成長時には水素を63体積%以上含有する水素/窒素混合ガスを使用し、前記第3の窒化物半導体層の成長時には窒素を50体積%以上含有する水素/窒素混合ガスを使用し、かつ前記第2の窒化物半導体層を1μmより厚く形成することを特徴とする方法。
IPC (2件)：
H01L21/205 ,  H01L33/00
FI (2件)：
H01L21/205 ,  H01L33/00 C
Fターム (32件)：
5F041AA40 ,  5F041CA23 ,  5F041CA40 ,  5F041CA67 ,  5F041CA73 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD09 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AD17 ,  5F045AE25 ,  5F045AE29 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045AF06 ,  5F045AF09 ,  5F045AF14 ,  5F045BB12 ,  5F045CA09 ,  5F045DA67 ,  5F045EB15 ,  5F045EE12 ,  5F045EE13
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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