半導体の製造方法および該方法により製造した半導体素子

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：杉村暁秀 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-231057
公開番号（公開出願番号）：特開2001-057341
出願日： 1999年08月18日
公開日（公表日）： 2001年02月27日
要約：

【要約】【課題】マストランスポート現象を利用する簡略化された製造工程によって貫通転位密度等を改善した半導体を製造する方法を提供する【解決手段】基板4上に緩衝層であるAlN層7を積層し、AlN層7上にIII 族窒化物層であるGaN層8を積層し、GaN層8に段差構造13を形成し、前記段差構造13を形成した状態の基板4を600〜1300°Cの温度(例えば1000°C)で加熱するとともに加熱中にキャリアガスとして窒素ガスを供給するとともにV族源としてアンモニアガスを供給することにより、GaN層8を形成する物質の一部を段差構造13内に横方向に移動させるマストランスポート現象を生じさせ、それにより低転位密度領域16を形成する。

請求項（抜粋）：

III 族窒化物半導体を製造する半導体の製造方法であって、基板上にIII 族窒化物層を積層する工程と、該III 族窒化物層に段差構造を形成する工程と、前記段差構造を形成した状態の基板を600〜1300°Cの温度で加熱するとともに加熱中に所定物質を供給することにより、前記III 族窒化物層を形成する物質の一部を前記段差構造内に移動させるマストランスポート現象を生じさせる工程とから成ることを特徴とする、半導体の製造方法。

IPC (8件)：

H01L 21/205 , H01L 21/331 , H01L 29/73 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 31/10 , H01L 33/00 , H01S 5/323

FI (7件)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 C , H01S 5/323 , H01L 29/72 , H01L 29/80 B , H01L 31/10 A , H01L 31/10 E

Fターム (72件)：

5F003AP00 , 5F003AZ03 , 5F003BF06 , 5F003BM03 , 5F003BP32 , 5F003BP33 , 5F003BZ03 , 5F041AA40 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA64 , 5F041CA67 , 5F041CA99 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AB19 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AD16 , 5F045AD17 , 5F045AE29 , 5F045AE30 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045AF20 , 5F045BB12 , 5F045BB16 , 5F045CA02 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045DA56 , 5F045DP07 , 5F045EB15 , 5F045EE14 , 5F049MA02 , 5F049MA14 , 5F049MA20 , 5F049MB07 , 5F049NA08 , 5F049NA20 , 5F049PA03 , 5F049PA18 , 5F049PA20 , 5F073AA75 , 5F073CB05 , 5F073CB07 , 5F073DA05 , 5F073DA25 , 5F073EA29 , 5F102FA02 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ04 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GR01 , 5F102HC00 , 5F102HC01 , 5F102HC02

引用特許：

審査官引用 (5件)

低転位窒化ガリウムの結晶成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-186583 出願人：日本電気株式会社
窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-275826 出願人：日亜化学工業株式会社
3-5族化合物半導体とその製造方法および半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-266898 出願人：住友化学工業株式会社

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