特許
J-GLOBAL ID：200903086449665012

半導体の製造方法および該方法により製造した半導体素子

発明者：
新田 州吾

新田 州吾 について

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山口 栄雄

山口 栄雄 について

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天野 浩

天野 浩 について

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赤▲崎▼ 勇

赤▲崎▼ 勇 について


出願人/特許権者：
学校法人 名城大学

学校法人 名城大学 について

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日本学術振興会

日本学術振興会 について


代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-231057
公開番号（公開出願番号）：特開2001-057341
出願日： 1999年08月18日
公開日（公表日）： 2001年02月27日
要約：
【要約】【課題】 マストランスポート現象を利用する簡略化された製造工程によって貫通転位密度等を改善した半導体を製造する方法を提供する【解決手段】 基板4上に緩衝層であるAlN層7を積層し、AlN層7上にIII 族窒化物層であるGaN層8を積層し、GaN層8に段差構造13を形成し、前記段差構造13を形成した状態の基板4を600〜1300°Cの温度(例えば1000°C)で加熱するとともに加熱中にキャリアガスとして窒素ガスを供給するとともにV族源としてアンモニアガスを供給することにより、GaN層8を形成する物質の一部を段差構造13内に横方向に移動させるマストランスポート現象を生じさせ、それにより低転位密度領域16を形成する。
請求項（抜粋）：
III 族窒化物半導体を製造する半導体の製造方法であって、基板上にIII 族窒化物層を積層する工程と、該III 族窒化物層に段差構造を形成する工程と、前記段差構造を形成した状態の基板を600〜1300°Cの温度で加熱するとともに加熱中に所定物質を供給することにより、前記III 族窒化物層を形成する物質の一部を前記段差構造内に移動させるマストランスポート現象を生じさせる工程とから成ることを特徴とする、半導体の製造方法。
IPC (8件)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 31/10 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323
FI (7件)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 ,  H01L 29/72 ,  H01L 29/80 B ,  H01L 31/10 A ,  H01L 31/10 E
Fターム (72件)：
5F003AP00 ,  5F003AZ03 ,  5F003BF06 ,  5F003BM03 ,  5F003BP32 ,  5F003BP33 ,  5F003BZ03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA64 ,  5F041CA67 ,  5F041CA99 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AB19 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AD17 ,  5F045AE29 ,  5F045AE30 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045AF20 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA02 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA56 ,  5F045DP07 ,  5F045EB15 ,  5F045EE14 ,  5F049MA02 ,  5F049MA14 ,  5F049MA20 ,  5F049MB07 ,  5F049NA08 ,  5F049NA20 ,  5F049PA03 ,  5F049PA18 ,  5F049PA20 ,  5F073AA75 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073EA29 ,  5F102FA02 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GR01 ,  5F102HC00 ,  5F102HC01 ,  5F102HC02
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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