シリカ系被膜形成用塗布液、シリカ系被膜の製造法、シリカ系被膜およびそれを用いた半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-019235
公開番号（公開出願番号）：特開2000-212508
出願日： 1999年01月28日
公開日（公表日）： 2000年08月02日
要約：

【要約】【課題】成膜性が良好で且つ、低誘電率なシリカ系被膜形成用塗布液、シリカ系被膜の製造法、シリカ系被膜およびそれを用いた半導体装置を提供する。【解決手段】 (A)下記一般式(I)で表されるテトラアルコキシシラン、(B)下記一般式(II)で表されるメチルトリアルコキシシラン及び(C)下記一般式(III)で表されるメチルフェニルジアルコキシシランとを溶媒の存在下に水と触媒を添加して加水分解・縮重合した得られるシロキサンオリゴマーを含むシリカ系被膜形成用塗布液、この塗布液を、基体表面上に塗布後、50〜200°Cで乾燥し、ついで300〜500°Cで焼成することを特徴とするシリカ系被膜の製造方法、このシリカ系被膜の製造方法により作製されてなるシリカ系被膜並びにこのシリカ系被膜を層間絶縁層として用いた半導体装置。【化1】(ただし、式中、Rは炭素数1〜4のアルキル基を示し、Phはフェニル基を示す)

請求項（抜粋）：

(A)一般式(I)【化1】(ただし、式中、Rは炭素数1〜4のアルキル基を示す)で表されるテトラアルコキシシラン、(B)一般式(II)【化2】(ただし、式中、Rは炭素数1〜4のアルキル基を示す)で表されるメチルトリアルコキシシラン及び(C)一般式(III)【化3】(ただし、式中、Rは炭素数1〜4のアルキル基、Phはフェニル基を示す)で表されるメチルフェニルジアルコキシシランとを溶媒の存在下に水と触媒を添加して加水分解・縮重合した得られるシロキサンオリゴマーを含むシリカ系被膜形成用塗布液。

IPC (3件)：

C09D183/00 , C01B 33/12 , H01L 21/316

FI (3件)：

C09D183/00 , C01B 33/12 C , H01L 21/316 G

引用特許：

審査官引用 (4件)

ナノ多孔質アエロゲル用の低揮発性溶剤基前駆物質
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-342341 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
特開昭61-025141
特開昭61-267590

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