特許

J-GLOBAL ID：200903046345536081

半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 中嶋 英晴
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-293901
公開番号（公開出願番号）：特開平7-130729
出願日： 1993年10月30日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：

【要約】【構成】 ?@シリコン系材料下地上に、少なくともSiN102とSiOまたはSiONを任意の層順例えばO/N/O構造で備える絶縁膜5を有し、そのSiNは化学量論的にSi3 N4 に相当するN含有率で、その垂直方向のN原子含有率分布がほぼ一定である。?ASiN層を形成し、酸化を行い、表面酸化物層を除去し、更に窒化を行い、必要に応じ更にSiOを形成する。?BSiNは原料ガスを用いて形成するとともに、該SiNは形成当初または形成終了直前の少なくともいずれかの時期で、Nリッチな原料ガスを用いて形成する。【効果】 絶縁膜を構成する積層構造中のシリコン窒化膜の窒素濃度分布に着目してこれについて改良を行ったことにより、特性の良好な絶縁膜を形成でき、これにより特性の改善された半導体装置を得た。

請求項（抜粋）：

シリコン系材料下地上に、少なくともシリコンの窒化物層とシリコンの酸化物層またはシリコンの酸窒化物層とを任意の層順で備える絶縁膜を有する半導体装置であって、前記シリコンの窒化物層は、窒素原子含有率が化学量論的に四窒化三シリコンに相当する含有率になっており、その垂直方向の窒素原子含有率分布がほぼ一定であることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (2件)：

H01L 21/90 M ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置およびその製造方法およびその製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-223788   出願人：日本電気株式会社
• 特開昭64-086562
  
• 半導体不揮発性記憶素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-171781   出願人：シチズン時計株式会社