特許
J-GLOBAL ID：200903046358710528
改質水素シルセスキオキサンSOG塗布
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-029627
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250490
出願日： 1996年02月16日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、改質水素シルセスキオキサン薄膜前駆体と、該前駆体を使用して、半導体デバイス上に改善された誘電薄膜を形成する方法と、及び前記前駆体を使用して半導体デバイス上に形成される改善された誘電薄膜とを提供することにある。【解決手段】 改質水素シルセスキオキサン(HSQ)前駆体、及び該前駆体を半導体基板上に蒸着させる方法及び前記前駆体から蒸着された誘電薄膜をもつ半導体デバイスを開示する。本発明の方法は、一般に導体12を備えた半導体基板10に、改質HSQ薄膜前駆体の薄膜をコーティングすることからなる。HSQ薄膜前駆体は、水素シルセスキオキサン樹脂と、好ましくはアルキルアルコキシシラン、フッ素化アルキルアルコキシシラン及びこれらの組合せからなる群から選択された改質剤とからなる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に薄膜誘電体を形成する方法において、(a)前記基板に、改質HSQ薄膜前駆体の薄膜をコーティングする工程を有し、前記改質HSQ薄膜前駆体が、所定体積比の水素シルセスキオキサン樹脂と、アルキルアルコキシシラン、フッ素化アルキルアルコキシシラン及びこれらの組合せからなる群から選択された改質剤とからなり、(b)前記薄膜を、200〜450°Cの温度で所定時間をかけて硬化させる工程を有し、前記前駆体に改質剤を添加することにより前記薄膜の酸化及び/又は吸湿を少なくとも部分的に防止することを特徴とする方法。
IPC (2件)：
H01L 21/312
, C09D183/05 PMT
H01L 21/312 C
, C09D183/05 PMT
