特許

J-GLOBAL ID：200903046358752018

エッチング方法およびエッチング装置

発明者： 岡田 直人 ,  川上 努 ,  近藤 裕介
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-391798
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197599
出願日： 2001年12月25日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：

【要約】【課題】 高精度なエッチングマスク形成設備を使用せずに微細配線形成で発生するエッチング液の微細間隙侵入性のばらつきによる配線の細りや短絡不良やエッチング時の基板の面内で発生するライン幅精度不良を解決する。【解決手段】 被エッチング層を有した基板の前記被エッチング層の上に所定のパターンでエッチングマスクが形成され、前記基板が搬送手段によって連続的にウエットエッチングされる方法において、エッチング直前に前記被エッチング層およびエッチングマスクに185〜254nm波長帯の活性光線を照射し、前記被エッチング層およびエッチングマスクに照射する活性光線の照射量を調節することで他のエッチング条件を変えることなく前記被エッチング層のエッチング速度を調節することを特徴とするエッチング方法。

請求項（抜粋）：

被エッチング層を有した基板の前記被エッチング層の上に所定のパターンでエッチングマスクが形成され、前記基板が搬送手段によって連続的にウエットエッチングされる方法において、エッチング直前に前記被エッチング層およびエッチングマスクに185〜254nm波長帯の活性光線を照射し、前記被エッチング層およびエッチングマスクに照射する活性光線の照射量を調節することで他のエッチング条件を変えることなく前記被エッチング層のエッチング速度を調節することを特徴とするエッチング方法。

Fターム (4件)：

5F043AA22 ,  5F043AA40 ,  5F043DD08 ,  5F043DD13

引用特許：

審査官引用 (2件)

• エッチング方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-092088   出願人：キヤノン株式会社
• エッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-050220   出願人：九州日本電気株式会社