特許
J-GLOBAL ID：200903046365740386

有機ELディスプレイの製造方法

発明者：
丹波 泰之

丹波 泰之 について

, 
田中 正行

田中 正行 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-347753
公開番号（公開出願番号）：特開2008-159438
出願日： 2006年12月25日
公開日（公表日）： 2008年07月10日
要約：
【課題】製造工程において第1電極層を保護し、第2電極層を効果的に分離して、信頼性に優れて生産性が向上する有機ELディスプレイの製造方法を提供する。【解決手段】第1電極層と、第1電極層10を覆う第1被覆層16とが積層された基板を準備する工程と、第1被覆層上に、第1被覆層が部分的に露出する開口部を有する絶縁体13を形成する工程と、第1被覆層及び絶縁体上に、第1被覆層及び絶縁体を覆う第2被覆層18を形成する工程と、第2被覆層上であって絶縁体の直上に、凸部17を形成する工程と、開口部下の第1被覆層をエッチングして除去するとともに、凸部下の第2被覆層を凸部の下面が一部露出するまでエッチングして除去することにより、絶縁体の上面と凸部の下面との間に空隙Gを形成する工程と、絶縁体の開口部上で、凸部から開口部にかけて導電材料を堆積させ、空隙Gにより端部が規定された第2電極層12を形成する工程とを備える。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
第1電極層と、該第1電極層を覆う第1被覆層とが積層された基板を準備する工程と、 前記第1被覆層上に、前記第1被覆層が部分的に露出する開口部を有する絶縁体を形成する工程と、 前記第1被覆層及び前記絶縁体上に、前記第1被覆層及び前記絶縁体を覆う第2被覆層を形成する工程と、 前記第2被覆層上であって前記絶縁体の直上に、凸部を形成する工程と、 前記開口部下の前記第1被覆層をエッチングして除去するとともに、前記凸部下の前記第2被覆層を前記凸部の下面が一部露出するまでエッチングして除去することにより、前記絶縁体の上面と前記凸部の下面との間に空隙を形成する工程と、 前記絶縁体の前記開口部上で、前記凸部から前記開口部にかけて導電材料を堆積させ、前記空隙により端部が規定された第2電極層を形成する工程と、 を備えたことを特徴とする有機ELディスプレイの製造方法。
IPC (7件)：
H05B 33/10 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/22 ,  H05B 33/04 ,  G09F 9/00 ,  G09F 9/30 ,  H01L 27/32
FI (6件)：
H05B33/10 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/22 Z ,  H05B33/04 ,  G09F9/00 338 ,  G09F9/30 365Z
Fターム (30件)：
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC21 ,  3K107CC45 ,  3K107DD89 ,  3K107DD90 ,  3K107DD91 ,  3K107EE03 ,  3K107EE27 ,  3K107EE47 ,  3K107EE50 ,  3K107FF15 ,  3K107GG11 ,  3K107GG28 ,  3K107GG37 ,  5C094AA31 ,  5C094AA42 ,  5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094DA13 ,  5C094DA20 ,  5C094FA04 ,  5C094JA08 ,  5G435AA14 ,  5G435AA17 ,  5G435BB05 ,  5G435HH12 ,  5G435KK05 ,  5G435KK10
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 特許第3302262号公報
審査官引用 (4件)
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