特許

J-GLOBAL ID：200903046411650060

有機薄膜トランジスタ素子

発明者： 平井 桂
出願人/特許権者： コニカミノルタホールディングス株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-309483
公開番号（公開出願番号）：特開2004-146575
出願日： 2002年10月24日
公開日（公表日）： 2004年05月20日
要約：

【課題】非常に簡便で実質的な有機半導体チャネルのパターニングが可能で、性能が安定な有機TFT素子の製造方法を提供する。【解決手段】有機半導体前駆体の熱処理を光熱変換法により行う行程を経て有機半導体層が形成された有機薄膜トランジスタ素子。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

有機半導体前駆体の熱処理を光熱変換法により行う行程を経て有機半導体層が形成されたことを特徴とする有機薄膜トランジスタ素子。

IPC (2件)：

H01L29/786 ,  H01L51/00

FI (2件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/28

Fターム (27件)：

5F110AA16 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE07 ,  5F110EE41 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF09 ,  5F110FF21 ,  5F110FF25 ,  5F110GG05 ,  5F110GG19 ,  5F110GG41 ,  5F110GG42 ,  5F110GG45 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK31 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 低温薄膜トランジスタの作製方法およびトランジスタ・デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-064964   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ-ション
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-279029   出願人：三洋電機株式会社
• 半導体膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-140731   出願人：葉文昌