特許
J-GLOBAL ID:200903046456055341
電力用半導体装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
吉田 茂明 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-222964
公開番号(公開出願番号):特開2000-058819
出願日: 1998年08月06日
公開日(公表日): 2000年02月25日
要約:
【要約】【課題】 電力用半導体装置の電力損失の低減化を図る。【解決手段】 IGBT51は、低濃度N型シリコン基板1と、シリコン基板1の第1主面1S1から所定の深さの領域内に形成された約1018/cm3の不純物濃度のN型シリコン層2と、第1主面1S1上に形成されたSiGeより成る高濃度P型コレクタ領域20と、コレクタ領域20のN型シリコン層2とは反対側の表面上に形成されたコレクタ電極6Cとを備え、シリコン基板1の第2主面1S2からそれぞれ所定の深さの領域内に形成された低濃度P型ベース領域7,エミッタ領域8及び高濃度P型シリコン領域9と、第2主面1S2からPベース領域7を越えてNベース領域1Aの内部に至るトレンチ30と、トレンチ30の内部に充填されたゲート電極10と、ゲート電極10に接続された金属電極6Gとを備える。コレクタ接合はヘテロ接合(P+-SiGe/N--Si)より成る。
請求項(抜粋):
半導体と、前記半導体の第1主面側に設けられた第1電極と、前記第1主面の反対側の第2主面側に設けられた第2電極とを備え、前記第1電極と前記第2電極との間に主電流経路を有する電力用半導体装置であって、前記半導体は、前記第1電極に接して、前記主電流経路の第1部分を成すと共に、少なくとも前記第1電極に接した部分は第1導電型の層を有する第1半導体層と、前記第1半導体層に接して、前記主電流経路の第2部分を成す第2導電型の第2半導体層と、前記第2半導体層と前記第2電極とに挟まれた第3半導体層とを備え、前記第1半導体層を成す半導体材料の第1バンドギャップと前記第2半導体層を成す半導体材料の第2バンドギャップとは異なることを特徴とする、電力用半導体装置。
IPC (5件):
H01L 29/78
, H01L 29/165
, H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/861
FI (6件):
H01L 29/78 655 B
, H01L 29/165
, H01L 29/72
, H01L 29/78 652 T
, H01L 29/78 655 C
, H01L 29/91 D
Fターム (11件):
5F003AP08
, 5F003BA11
, 5F003BA27
, 5F003BB04
, 5F003BC04
, 5F003BC05
, 5F003BC08
, 5F003BG06
, 5F003BJ96
, 5F003BM01
, 5F003BP01
引用特許:
引用文献:
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