特許

J-GLOBAL ID：200903046456055341

電力用半導体装置

発明者： 楠 茂
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-222964
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058819
出願日： 1998年08月06日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】 電力用半導体装置の電力損失の低減化を図る。【解決手段】 IGBT51は、低濃度N型シリコン基板1と、シリコン基板1の第1主面1S1から所定の深さの領域内に形成された約1018/cm3の不純物濃度のN型シリコン層2と、第1主面1S1上に形成されたSiGeより成る高濃度P型コレクタ領域20と、コレクタ領域20のN型シリコン層2とは反対側の表面上に形成されたコレクタ電極6Cとを備え、シリコン基板1の第2主面1S2からそれぞれ所定の深さの領域内に形成された低濃度P型ベース領域7,エミッタ領域8及び高濃度P型シリコン領域9と、第2主面1S2からPベース領域7を越えてNベース領域1Aの内部に至るトレンチ30と、トレンチ30の内部に充填されたゲート電極10と、ゲート電極10に接続された金属電極6Gとを備える。コレクタ接合はヘテロ接合(P+-SiGe/N--Si)より成る。

請求項（抜粋）：

半導体と、前記半導体の第1主面側に設けられた第1電極と、前記第1主面の反対側の第2主面側に設けられた第2電極とを備え、前記第1電極と前記第2電極との間に主電流経路を有する電力用半導体装置であって、前記半導体は、前記第1電極に接して、前記主電流経路の第1部分を成すと共に、少なくとも前記第1電極に接した部分は第1導電型の層を有する第1半導体層と、前記第1半導体層に接して、前記主電流経路の第2部分を成す第2導電型の第2半導体層と、前記第2半導体層と前記第2電極とに挟まれた第3半導体層とを備え、前記第1半導体層を成す半導体材料の第1バンドギャップと前記第2半導体層を成す半導体材料の第2バンドギャップとは異なることを特徴とする、電力用半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/165 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/861

FI (6件)：

H01L 29/78 655 B ,  H01L 29/165 ,  H01L 29/72 ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 655 C ,  H01L 29/91 D

Fターム (11件)：

5F003AP08 ,  5F003BA11 ,  5F003BA27 ,  5F003BB04 ,  5F003BC04 ,  5F003BC05 ,  5F003BC08 ,  5F003BG06 ,  5F003BJ96 ,  5F003BM01 ,  5F003BP01

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置及びそれを用いたインバータ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-172274   出願人：株式会社日立製作所
• 電導度変調型トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-329391   出願人：日産自動車株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Elimination of heterojunction band discontinuities by modulation doping