特許
J-GLOBAL ID：200903046513135454

フッ素添加カーボン膜の形成方法

発明者：
大見 忠弘

大見 忠弘 について

, 
平山 昌樹

平山 昌樹 について


出願人/特許権者：
大見 忠弘

大見 忠弘 について

, 
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-144613
公開番号（公開出願番号）：特開2004-349458
出願日： 2003年05月22日
公開日（公表日）： 2004年12月09日
要約：
【課題】フッ素添加カーボン膜と下地膜との密着性を改善する【解決手段】被処理基板上にフッ素添加カーボン膜を形成するフッ素添加カーボン膜の形成方法であって、基板処理装置によって希ガスをプラズマ励起し、プラズマ励起された前記希ガスによって前記被処理基板の表面処理を行う第1の工程と、前記被処理基板上にフッ素添加カーボン膜を形成する第2の工程を含み、前記基板処理装置は、マイクロ波電源が電気的に接続されたマイクロ波アンテナを有することを特徴とするフッ素添加カーボン膜の形成方法。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
被処理基板上にフッ素添加カーボン膜を形成するフッ素添加カーボン膜の形成方法であって、 基板処理装置によって希ガスをプラズマ励起し、プラズマ励起された前記希ガスによって前記被処理基板の表面処理を行う第1の工程と、 前記被処理基板上にフッ素添加カーボン膜を形成する第2の工程を含み、 前記基板処理装置は、 前記被処理基板に対面するように設けられたマイクロ波透過窓を有し、前記マイクロ波透過窓上に設けられた、マイクロ波電源が電気的に接続されたマイクロ波アンテナから、前記被処理基板上のプロセス空間に、前記マイクロ波窓を介してマイクロ波を導入し、前記希ガスを含むプラズマガスをプラズマ励起することを特徴とするフッ素添加カーボン膜の形成方法。
IPC (2件)：
H01L21/316 ,  H01L21/31
FI (2件)：
H01L21/316 M ,  H01L21/31 C
Fターム (16件)：
5F045AA08 ,  5F045AB07 ,  5F045AB40 ,  5F045BB17 ,  5F045CB05 ,  5F045EF05 ,  5F045EH02 ,  5F045EJ01 ,  5F045EM05 ,  5F058BA10 ,  5F058BD01 ,  5F058BD15 ,  5F058BD18 ,  5F058BE04 ,  5F058BF07 ,  5F058BJ02
引用特許：
審査官引用 (3件)

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