特許
J-GLOBAL ID:200903046515140722
マイクロ-エレクトリックデバイス用の無機浸透層
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
青山 葆 (外2名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-511671
公開番号(公開出願番号):特表2003-505046
出願日: 2000年06月09日
公開日(公表日): 2003年02月12日
要約:
【要約】本発明は、分子生物学反応のためのマイクロ-電極デバイス上に無機浸透層を沈積させる方法、およびそれによって作成されるデバイスに関する。浸透層は好ましくはゾル-ゲルである。ゾル-ゲル浸透層は、所定の多孔度、ポアサイズ分布、ポア形態、および表面積を持つものとして作成することができる。また、ゾル-ゲル浸透層はマイクロ-位置エレクトリックデバイスの付着層としても機能することができる。
請求項(抜粋):
基材; 該基材上の複数の選択的にアドレス可能な電極; 該電極に隣接した浸透層、該浸透層はゾル-ゲル組成物であり;および 該電極に選択的にアドレスするための電源;を含むことを特徴とする、溶液を受容するのに適したエレクトロニックデバイス。
IPC (8件):
C12M 1/00
, B81B 1/00
, B81C 1/00
, C12Q 1/68
, G01N 37/00 102
, G01N 27/447
, G01N 33/53
, G01N 33/566
FI (8件):
C12M 1/00 A
, B81B 1/00
, B81C 1/00
, C12Q 1/68 A
, G01N 37/00 102
, G01N 33/53 M
, G01N 33/566
, G01N 27/26 315 Z
Fターム (15件):
4B029AA07
, 4B029BB17
, 4B029BB20
, 4B029CC03
, 4B029CC08
, 4B029FA12
, 4B063QA01
, 4B063QA18
, 4B063QQ42
, 4B063QQ52
, 4B063QR55
, 4B063QR82
, 4B063QS34
, 4B063QS36
, 4B063QX02
引用特許:
引用文献:
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