特許
J-GLOBAL ID：200903046529855902

半導体光変調器及びその製造方法

発明者：
石坂 政茂

石坂 政茂 について

, 
山崎 裕幸

山崎 裕幸 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-127497
公開番号（公開出願番号）：特開平9-311304
出願日： 1996年05月22日
公開日（公表日）： 1997年12月02日
要約：
【要約】【課題】 高速長距離光通信システムにおいて分散制限伝送距離を効果的に伸ばすことができる構造の半導体光変調器を実現することである。【解決手段】 n-InP基板101上にn-InPバッファ層102、n-InPクラッド層202、InP系多重量子井戸光吸収層203、p-InPクラッド層204を順次積層したスラブ構造がp-InP埋め込みクラッド層207で覆われた埋め込み型光導波路構造を有し、p-InP埋め込みクラッド層207の上面にp-InGaAsキャップ層208、Cr/Au電極401が順次積層され、更に素子裏面にはCr/Au電極402が形成されている。InP系多重量子井戸光吸収層203は、吸収端波長の異なる2つの領域から形成されている。また、p側パッド電極下部には高速動作に対応するために素子容量低減を目的としてポリイミド膜301が埋め込まれている。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に少なくとも半導体バッファ層、半導体光吸収層、半導体クラッド層が順次積層された層構造を有し、前記半導体光吸収層の一端より入射された光波の吸収を該半導体光吸収層に印加した電界強度を変えることにより変化させる電界吸収型光変調器であって、前記半導体光吸収層に外部電気信号に対応する電界強度を増加させた時に入射光に対する前記半導体光吸収層の屈折率が減少しかつ吸収係数が増加するように、前記半導体光吸収層の一部の吸収端波長を他の吸収端波長に比べて短く設定し、異なる吸収端波長を有する前記半導体光吸収層の全域に対して外部電気信号に相当する電圧を同時に印加することを特徴とする半導体光変調器。
IPC (5件)：
G02F 1/025 ,  G02B 6/122 ,  G02B 6/42 ,  H04B 10/28 ,  H04B 10/02
FI (4件)：
G02F 1/025 ,  G02B 6/42 ,  G02B 6/12 A ,  H04B 9/00 W
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 光半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-332851   出願人：富士通株式会社
  • 半導体光源及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-344958   出願人：日本電気株式会社
  • 半導体光変調器
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-020876   出願人：株式会社日立製作所

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