半導体装置の作製方法及び半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-048996
公開番号（公開出願番号）：特開2008-211144
出願日： 2007年02月28日
公開日（公表日）： 2008年09月11日
要約：

【課題】集積回路の低電圧動作及び低消費電力化を実現するための新規な構造の半導体装置及びその半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。【解決手段】一対の不純物領域120の間に設けられたチャネル形成領域108を含む島状半導体層130と、不純物領域120上に設けられた第1の絶縁層110と、チャネル形成領域108及び第1の絶縁層110上に設けられた第2の絶縁層112と第1の絶縁層110と第2の絶縁層112を介して不純物領域120と重なり、且つ第2の絶縁層112を介してチャネル形成領域108と重なる導電層114を有する。チャネル形成領域108の膜厚は、不純物形成領域120の膜厚よりも薄い。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

一対の不純物領域の間に設けられたチャネル形成領域を含む島状の半導体層と、前記半導体層の不純物領域上に設けられた第1の絶縁層と、前記チャネル形成領域及び前記第1の絶縁層上に設けられた第2の絶縁層と、前記第1の絶縁層及び前記第2の絶縁層を介して前記不純物領域と重なり、且つ前記第2の絶縁層を介して前記チャネル形成領域と重なる導電層と、を有し、前記チャネル形成領域の膜厚が前記不純物領域の膜厚よりも薄いことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3件)：

H01L29/78 618D , H01L29/78 617U , H01L29/78 616A

Fターム (71件)：

5B035AA05 , 5B035BB09 , 5B035CA01 , 5F110AA06 , 5F110AA08 , 5F110AA09 , 5F110BB03 , 5F110BB06 , 5F110BB07 , 5F110BB08 , 5F110BB20 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE23 , 5F110EE28 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF12 , 5F110FF25 , 5F110FF26 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG22 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG35 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG51 , 5F110GG52 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HK05 , 5F110HK40 , 5F110HM15 , 5F110NN71 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP29 , 5F110PP34 , 5F110QQ11

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開昭61-48975号公報
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-083000 出願人：三洋電機株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所
特開平3-153081

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審査官引用 (3件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-083000 出願人：三洋電機株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所
特開平3-153081
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-274136 出願人：株式会社東芝

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