特許

J-GLOBAL ID：200903017049042138

半導体装置

発明者： 藤原 英明 ,  鳥海 明
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社 ,  独立行政法人産業技術総合研究所
代理人 (1件)： 宮園 博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-083000
公開番号（公開出願番号）：特開2004-296491
出願日： 2003年03月25日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：

【課題】金属からなるゲート電極を用いた場合にも、しきい値電圧が高くなるのを抑制することが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】この半導体装置は、単結晶シリコン層3の主表面に、チャネル領域3aを規定するように所定の間隔を隔てて形成され、上方に持ち上げられたエレベーテッド構造を有する一対のn型のソース/ドレイン領域3bと、チャネル領域3a上に形成されたHfO2膜(高誘電率絶縁膜)からなるゲート絶縁膜6と、ゲート絶縁膜6に接触するとともに、ソース/ドレイン領域3bを構成するシリコンのバンドギャップ端のエネルギレベル(伝導帯)の近傍のフェルミレベルを有するように仕事関数が約3.9eVに制御されたHf膜7を含むメタルゲート10とを備えている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

シリコン領域の主表面に、チャネル領域を規定するように所定の間隔を隔てて形成され、上方に持ち上げられたエレベーテッド構造を有する一対のソース/ドレイン領域と、 前記チャネル領域上に形成された3.9よりも大きい比誘電率を有する高誘電率絶縁膜からなるゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜に接触するとともに、前記ソース/ドレイン領域を構成するシリコンのバンドギャップ端のエネルギレベルの近傍のフェルミレベルを有するように仕事関数が制御された第1金属層を含むゲート電極とを備えた、半導体装置。

IPC (5件)：

H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

FI (7件)：

H01L29/78 616S ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/78 301V ,  H01L29/78 617L ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/78 618D ,  H01L29/58 G

Fターム (109件)：

4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB13 ,  4M104BB20 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD03 ,  4M104DD08 ,  4M104DD16 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD75 ,  4M104DD84 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104FF01 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH14 ,  4M104HH15 ,  4M104HH20 ,  5F110AA08 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE14 ,  5F110EE22 ,  5F110EE32 ,  5F110EE42 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110EE50 ,  5F110FF01 ,  5F110FF12 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG17 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ14 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK05 ,  5F110HK21 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HK40 ,  5F110HM02 ,  5F110HM15 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ24 ,  5F140AA00 ,  5F140AA06 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BB06 ,  5F140BD11 ,  5F140BE03 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BF07 ,  5F140BF10 ,  5F140BF11 ,  5F140BF20 ,  5F140BF40 ,  5F140BF43 ,  5F140BG09 ,  5F140BG11 ,  5F140BG12 ,  5F140BG28 ,  5F140BG30 ,  5F140BG36 ,  5F140BG40 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH05 ,  5F140BH14 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ20 ,  5F140BK03 ,  5F140BK05 ,  5F140BK13 ,  5F140BK14 ,  5F140BK21 ,  5F140BK29 ,  5F140BK34 ,  5F140CB04 ,  5F140CE06 ,  5F140CE07 ,  5F140CE20

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体装置及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-002413   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-124405   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-090166   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-168560   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-161986   出願人：株式会社東芝