特許
J-GLOBAL ID：200903046557147050

微細パターンの形成方法及び半導体装置の製造方法

発明者：
谷脇 雅文

谷脇 雅文 について

, 
新田 紀子

新田 紀子 について


出願人/特許権者：
学校法人高知工科大学

学校法人高知工科大学 について


代理人 (8件)： 三好 秀和 ,  三好 保男 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  栗原 彰 ,  川又 澄雄 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-239427
公開番号（公開出願番号）：特開2004-079847
出願日： 2002年08月20日
公開日（公表日）： 2004年03月11日
要約：
【課題】簡単且つ安価に半導体表面に微細パターンを形成する。【解決手段】集積イオンビーム(FIB)装置3で単結晶基板1の表面に第1の荷電粒子をFIBとして選択的に照射する工程と、第2の荷電粒子を注入する工程とから少なくともなる。高価な電子ビーム露光装置やX線露光装置等を用いなくても、ナノメータレベルの微細構造を簡単に形成することが可能である。例えば、規則正しく深さ250nm、直径約50nmの凹部、凹部同士を隔てる壁の厚さが約5nm程度の微細構造を単結晶基板1の表面に簡単に作製出来る。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1の荷電粒子を単結晶基板の表面に選択的に照射する工程と、 前記単結晶基板に第2の荷電粒子を注入する工程 とを含む微細パターンの形成方法。
IPC (5件)：
H01L21/302 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/10 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792
FI (3件)：
H01L21/302 201B ,  H01L27/10 451 ,  H01L29/78 371
Fターム (42件)：
5F004BA17 ,  5F004BB25 ,  5F004BD04 ,  5F004CA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DB19 ,  5F004DB20 ,  5F004DB22 ,  5F004EA28 ,  5F004EA30 ,  5F004EA39 ,  5F004EB08 ,  5F083AD01 ,  5F083EP02 ,  5F083EP23 ,  5F083EP33 ,  5F083EP34 ,  5F083EP76 ,  5F083ER21 ,  5F083FZ10 ,  5F083HA06 ,  5F083JA19 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083NA03 ,  5F083PR01 ,  5F083PR03 ,  5F083PR04 ,  5F083PR21 ,  5F083PR25 ,  5F083PR36 ,  5F083PR40 ,  5F101BA01 ,  5F101BB05 ,  5F101BD02 ,  5F101BD10 ,  5F101BD22 ,  5F101BD34 ,  5F101BD40 ,  5F101BE07
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM