半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山川政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-318127
公開番号（公開出願番号）：特開平8-181085
出願日： 1994年12月21日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：

【要約】【目的】イオン注入により導入された不純物層の拡散を抑え、かつリーク電流が増大しないようにすることを目的とする。【構成】 Si+ 10を1.5MeVで3×1013cm-2の条件で注入し、加えて、イオン注入したSi+ の飛程とほぼ同じ深さになるように、B+ 11を850KeVで8×1012cm-2の条件で注入し、イオン注入領域12を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板中へ第1のイオンをイオン注入して不純物領域を形成した後、前記不純物領域より深い位置へ第2のイオンをイオン注入し、その後、熱処理を行って、前記不純物領域を含む周辺に空孔が存在する空孔領域を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/265 , H01L 21/322

FI (5件)：

H01L 21/265 Q , H01L 21/265 W , H01L 21/265 D , H01L 21/265 Z , H01L 21/265 L

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体素子のソース/ドレイン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-261227 出願人：ヒュンダイエレクトロニクスインダストリイズカンパニーリミテッド
二重拡散層の作り込み方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-135438 出願人：富士電機株式会社
特開平4-079216

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