特許

J-GLOBAL ID：200903088676056963

微細パターンの形成方法及び半導体装置の製造方法

発明者： 谷脇 雅文 ,  新田 紀子
出願人/特許権者： 学校法人高知工科大学
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-329838
公開番号（公開出願番号）：特開2001-148354
出願日： 1999年11月19日
公開日（公表日）： 2001年05月29日
要約：

【要約】【課題】 簡単且つ安価に半導体表面に微細パターンを形成する。【解決手段】 単結晶基板1を-50°C以下-273°C以上の低温に冷却する工程と、単結晶基板の表面に荷電粒子を1×1014cm-2以上5×1016cm-2以下のドーズ量にて、所定の加速電圧で注入する工程と、単結晶基板を室温に戻す工程とから少なくともなる。高価な電子ビーム露光装置やX線露光装置等を用いなくても、ナノメータレベルの微細構造を簡単に形成することが可能である。例えば、深さ250nm、直径約50nm、凹部2と凹部2とを隔てる壁の厚さが5nm程度の凹部2からなる微細構造を単結晶基板1の表面に簡単に作成出来る。

請求項（抜粋）：

単結晶基板を-50°C以下-273°C以上の低温に冷却する工程と、前記単結晶基板の表面に荷電粒子を1×1014cm-2以上5×1016cm-2以下のドーズ量にて、所定の加速電圧で注入する工程と、前記単結晶基板を室温に戻す工程とから少なくともなることを特徴とする微細パターンの形成方法。

IPC (8件)：

H01L 21/265 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/66 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (6件)：

H01L 29/06 ,  H01L 29/66 ,  H01L 21/265 Q ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 301 F ,  H01L 29/78 371

Fターム (36件)：

5F001AA01 ,  5F001AA92 ,  5F001AB02 ,  5F001AD15 ,  5F001AD16 ,  5F001AD51 ,  5F001AG12 ,  5F001AG26 ,  5F040DB01 ,  5F040DC03 ,  5F040EA08 ,  5F040EE01 ,  5F040FC05 ,  5F040FC11 ,  5F083EP02 ,  5F083EP22 ,  5F083EP32 ,  5F083EP76 ,  5F083GA09 ,  5F083GA28 ,  5F083HA06 ,  5F083HA07 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083PR33 ,  5F083PR36 ,  5F101BA01 ,  5F101BA64 ,  5F101BB02 ,  5F101BD05 ,  5F101BD06 ,  5F101BD32 ,  5F101BH09 ,  5F101BH11

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平4-196416
  
• トレンチ形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-188398   出願人：エスティーマイクロエレクトロニクスエス.アール.エル
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-318127   出願人：日本電気株式会社
• 半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-013040   出願人：沖電気工業株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-198184   出願人：富士通株式会社