半導体デバイスの空洞を充填する方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：浅村皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-128523
公開番号（公開出願番号）：特開平9-223741
出願日： 1996年05月23日
公開日（公表日）： 1997年08月26日
要約：

【要約】【課題】バイア等の空洞の充填に低誘電率材料を使用する。【解決手段】低抵抗電気的接続を提供する多段階の工程において、半導体デバイスに形成されるバイア及び接点などの空洞が充填される。先ず、続いて堆積される充填材料の「ウェッティング」を高めるよう比較的低パワー及び堆積速度で、ライナーが空洞内に堆積される。充填材料は、空洞の口を閉じるよう比較的大きなパワー及び堆積速度で堆積され、その後、空洞を実質的に充填するよう充填材料が空洞に高圧で押しやられる。従来の処理温度で熱的に不安定であった低誘電率材料を用いることができるよう、比較的低処理温度及び高圧が用いられる。

請求項（抜粋）：

半導体デバイスの空洞を充填する方法であって、表面と、前記表面から少なくとも部分的に半導体基板に伸びる少なくとも一つの空洞を有する半導体基板を提供し、前記空洞は開口端を有し、空洞の壁によって定められ、前記半導体基板を約250°Cから約400°Cの間の温度まで加熱し、前記空洞壁に沿って金属ライナーを堆積し、前記空洞へ前記空洞開口端を閉じるのに充分な量の空洞充填金属を堆積し、前記空洞へ前記金属充填を導くよう前記空洞充填に約500-1200atmの間の圧力を印加する工程を含む半導体デバイスの空洞を充填する方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 , H01L 21/283

FI (2件)：

H01L 21/90 C , H01L 21/283 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

物品の処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-136820 出願人：エレクトロテクリミティド
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-227808 出願人：日本電気株式会社
特開平3-222332

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