特許

J-GLOBAL ID：200903046604744763

イメージセンサおよびその製造方法

発明者： 堀田 昌義
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-040384
公開番号（公開出願番号）：特開2002-246581
出願日： 2001年02月16日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：

【要約】【課題】 集積度を低下させずにフォトダイオードの単位面積を増大する。【解決手段】 単位画素部において、読み出しトランジスタ31,リセットトランジスタ32,増幅トランジスタ33および選択トランジスタ34を、半導体基板21の表面に形成されたトレンチ22の側面に垂直方向に形成されたチャネル領域23を有する縦型トランジスタで構成している。したがって、所定のデザインルールを適用した場合に、素子分離領域36と読み出しトランジスタ31との間を広くできる。こうして、トランジスタ領域の占有面積を低減することによって、集積度を低下させずにフォトダイオードの占有面積を増加させ、光感度特性を改善できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された光電変換素子とこの光電変換素子によって発生した信号電荷の選択,増幅およびリセットを行う少なくとも3つのトランジスタとを単位画素とするイメージセンサにおいて、上記トランジスタのチャネル領域は、上記半導体基板の表面に対して垂直方向に配置されていることを特徴とするイメージセンサ。

IPC (4件)：

H01L 27/146 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 31/10

FI (3件)：

H01L 27/14 A ,  H01L 27/08 321 C ,  H01L 31/10 G

Fターム (40件)：

4M118AA01 ,  4M118AA02 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CB01 ,  4M118CB02 ,  4M118EA03 ,  4M118EA20 ,  4M118FA06 ,  4M118FA28 ,  4M118FA33 ,  4M118FA42 ,  4M118FA46 ,  5F048AA01 ,  5F048AC03 ,  5F048AC10 ,  5F048BA14 ,  5F048BA15 ,  5F048BA16 ,  5F048BB05 ,  5F048BB20 ,  5F048BC03 ,  5F048BC06 ,  5F048BD09 ,  5F048BG14 ,  5F048BH07 ,  5F048CA03 ,  5F048DA25 ,  5F049MA02 ,  5F049MB03 ,  5F049NA04 ,  5F049NA18 ,  5F049NA19 ,  5F049RA03 ,  5F049RA08 ,  5F049SS03 ,  5F049SZ20 ,  5F049UA13 ,  5F049UA14

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭62-131565
  
• イメ-ジセンサのフォトダイオ-ド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-184261   出願人：現代電子産業株式会社
• MOSトランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-034404   出願人：ソニー株式会社
• 特開平3-106069