特許
J-GLOBAL ID：200903046618869763

近接場光発生装置、近接場光発生方法及び情報記録再生装置

発明者：
本郷 一泰

本郷 一泰 について

, 
渡辺 哲

渡辺 哲 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  伊藤 仁恭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-271009
公開番号（公開出願番号）：特開2008-090939
出願日： 2006年10月02日
公開日（公表日）： 2008年04月17日
要約：
【課題】表面プラズモンを発生する散乱体において不要な近接場光の影響を抑え、近接場光を発生する領域の形状を制御性良く製造できる構成とする。【解決手段】光源101と、光源101からの光を照射して近接場光を発生させる導電性の散乱体10とを備える。散乱体10を、光透過性の基体1上に設けられた高さの異なる面に跨って形成して、基体1上の、近接場光が照射される被照射体50に最も近接する面に形成された第1の領域とこの第1の領域よりも被照射体から離間する面に形成された第2の領域とを備える。散乱体の第1の領域から被照射体に対し近接場光Lnsを発生する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
光源と、前記光源からの光を照射されることによって近接場光を発生させる導電性の散乱体とを備え、 前記散乱体は、光透過性の基体上に設けられた高さの異なる面に跨って形成されて、前記基体上の、近接場光が照射される被照射体に最も近接する面に形成された第1の領域と、該第1の領域よりも前記被照射体から離間する面に形成された第2の領域とを備え、 前記散乱体の前記第1の領域から、前記被照射体に対し近接場光を発生する ことを特徴とする近接場光発生装置。
IPC (4件)：
G11B 7/135 ,  G11B 11/105 ,  G11B 11/10 ,  G11B 5/02
FI (8件)：
G11B7/135 A ,  G11B11/105 566C ,  G11B11/105 571D ,  G11B11/105 571H ,  G11B11/105 571P ,  G11B11/105 551L ,  G11B11/10 502Z ,  G11B5/02 T
Fターム (14件)：
5D075AA03 ,  5D075CC04 ,  5D075CD02 ,  5D075CF03 ,  5D075CF08 ,  5D091CC17 ,  5D789AA20 ,  5D789AA38 ,  5D789BA01 ,  5D789CA06 ,  5D789CA21 ,  5D789CA23 ,  5D789EB02 ,  5D789JA65
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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