特許
J-GLOBAL ID：200903046627002535
SEM装置又はSEMシステムにおける撮像レシピ生成方法及び計測レシピ生成方法並びにSEM装置又はSEMシステム
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
ポレール特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-336164
公開番号（公開出願番号）：特開2008-147143
出願日： 2006年12月13日
公開日（公表日）： 2008年06月26日
要約：
【課題】撮像レシピ又は/及び計測レシピを自動かつ高速に生成できるようにして検査効率及び自動化率を向上させたSEM装置又はSEMシステム並びにその方法を提供することにある。【解決手段】SEM装置又はSEMシステムにおける撮像レシピ及び計測レシピ生成方法であって、レシピ演算部において、評価ポイントにおける撮像位置ずれ量の許容値を評価する評価ステップと、回路パターンの設計データ上の任意の領域をアドレッシングポイントとした場合における前記評価ポイントにおける撮像位置ずれ量の予想値を評価する評価ステップと、前記評価ポイントにおける撮像位置ずれ量の許容値と前記評価ポイントにおける撮像位置ずれ量の予想値との関係に基づいて、撮像レシピ及び計測レシピを決定する決定ステップとを含むことを特徴とする。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
走査型電子顕微鏡及びレシピ演算部を備えたSEM装置又はSEMシステムを用いて試料上に形成されたパターンの撮像ポイントについて撮像する撮像レシピを生成する撮像レシピ生成方法であって、
前記試料上における評価ポイントの位置及び該評価ポイント周辺の回路パターンの設計データを前記レシピ演算部に入力する入力ステップを有し、
前記レシピ演算部において、前記入力ステップにおいて入力された前記評価ポイントの位置及び前記評価ポイント周辺の回路パターンの設計データに基づいて前記評価ポイントにおける撮像位置ずれ量の許容値を評価する評価ポイント撮像位置ずれ量評価ステップと、前記入力ステップにおいて入力された前記評価ポイントの位置及び前記評価ポイント周辺の回路パターンの設計データに基づいて前記回路パターンの設計データ上の任意の領域をアドレッシングポイントとした場合における前記評価ポイントにおける撮像位置ずれ量の予想値を評価するアドレッシング評価ステップと、前記評価ポイント撮像位置ずれ量評価ステップにおいて評価された前記評価ポイントにおける撮像位置ずれ量の許容値と前記アドレッシング評価ステップにおいて評価された前記評価ポイントにおける撮像位置ずれ量の予想値との関係に基づいて前記撮像レシピである少なくともアドレッシングポイントを含む調整ポイントの位置又は撮像順又は撮像条件又は調整方法を決定する決定ステップとを含むことを特徴とするSEM装置又はSEMシステムにおける撮像レシピ生成方法。
IPC (6件)：
H01J 37/22
, H01J 37/28
, H01L 21/66
, H01J 37/147
, G01N 23/225
, G01B 15/00
H01J37/22 502H
, H01J37/28 B
, H01L21/66 J
, H01J37/147 B
, G01N23/225
, G01B15/00 K
2F067AA15
, 2F067AA22
, 2F067AA25
, 2F067AA26
, 2F067BB04
, 2F067CC17
, 2F067HH06
, 2F067HH13
, 2F067JJ05
, 2F067KK04
, 2F067KK08
, 2F067LL17
, 2F067PP12
, 2F067QQ02
, 2F067RR12
, 2F067RR27
, 2F067RR35
, 2F067RR44
, 2F067SS02
, 2F067SS13
, 2G001AA03
, 2G001BA07
, 2G001CA03
, 2G001GA01
, 2G001GA06
, 2G001HA13
, 2G001JA11
, 2G001LA11
, 4M106AA01
, 4M106BA02
, 4M106CA39
, 4M106DB18
, 5C033FF06
, 5C033UU01
, 5C033UU03
, 5C033UU06
, 5C033UU10
出願人引用 (2件)
-
半導体検査システム
公報種別：公開公報
出願番号：特願2001-132668
出願人：株式会社日立製作所
-
荷電粒子ビーム装置用カラム
公報種別：公開公報
出願番号：特願2000-115454
出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
審査官引用 (5件)
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