特許
J-GLOBAL ID:200903046630444883

パターン形成体の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 山下 昭彦 ,  岸本 達人
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-268999
公開番号(公開出願番号):特開2004-111480
出願日: 2002年09月13日
公開日(公表日): 2004年04月08日
要約:
【課題】本発明は、無機層表面への短時間のエネルギー照射により、高精細な酸化パターンを形成するパターン形成体の簡便な製造方法を提供することを主目的とするものである。【解決手段】上記目的を達成するために、本発明は、光触媒を含有する光触媒含有層および基材を有する光触媒含有層側基板と、前記光触媒含有層中の光触媒の作用により表面が酸化される無機層を有するパターン形成体用基板とを、前記光触媒含有層および前記無機層が200μm以下となるように間隙をおいて配置した後、パターン状にエネルギーを照射し、エネルギー照射した部分の無機層の表面を酸化させ、次いで光触媒含有層側基板を取り外すことにより、無機層表面に酸化されたパターンを有するパターン形成体を得ることを特徴とするパターン形成体の製造方法を提供することにより上記課題を解決する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
光触媒を含有する光触媒含有層および基材を有する光触媒含有層側基板と、前記光触媒含有層中の光触媒の作用により表面が酸化される無機層を有するパターン形成体用基板とを、前記光触媒含有層および前記無機層が200μm以下となるように間隙をおいて配置した後、パターン状にエネルギーを照射し、エネルギー照射した部分の無機層の表面を酸化させ、次いで光触媒含有層側基板を取り外すことにより、無機層表面に酸化されたパターンを有するパターン形成体を得ることを特徴とするパターン形成体の製造方法。
IPC (2件):
H01L21/3205 ,  H01L21/28
FI (2件):
H01L21/88 E ,  H01L21/28 K
Fターム (6件):
4M104BB01 ,  4M104DD62 ,  4M104DD74 ,  5F033HH03 ,  5F033QQ01 ,  5F033QQ89
引用特許:
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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