特許
J-GLOBAL ID：200903046671155284

撮像装置

発明者：
石井 孝昌

石井 孝昌 について

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望月 千織

望月 千織 について

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森下 正和

森下 正和 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-187886
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124450
出願日： 2002年06月27日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：
【要約】【課題】 高感度な撮像装置および放射線検出装置を提供する。【解決手段】 絶縁基板上に入射光を電荷に変換する光電変換層16と、光電変換層16上に形成された電極層17と、電極層17上に形成された保護層37と、を有する撮像装置において、光電変換層16の屈折率をna、電極層17の屈折率をnb、保護層37の屈折率をncとする場合、na-nb≦1.5かつnb-nc≦1.5の関係が成り立つことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
入射光を電荷に変換する光電変換層と、前記光電変換層上に形成された電極層と、前記電極層上に形成された保護層と、を有し、前記光電変換層の屈折率をna、前記電極層の屈折率をnb、前記保護層の屈折率をncとする場合、na-nb≦1.5かつnb-nc≦1.5の関係が成り立つことを特徴とする撮像装置。
IPC (5件)：
H01L 27/146 ,  G01T 1/20 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/09 ,  H04N 5/32
FI (5件)：
G01T 1/20 B ,  H04N 5/32 ,  H01L 27/14 C ,  H01L 27/14 K ,  H01L 31/00 A
Fターム (36件)：
2G088EE01 ,  2G088EE29 ,  2G088FF02 ,  2G088GG16 ,  2G088GG19 ,  2G088JJ05 ,  4M118AA01 ,  4M118AA06 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA07 ,  4M118CA34 ,  4M118CB06 ,  4M118CB11 ,  4M118CB13 ,  4M118CB14 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118GA10 ,  5C024AX12 ,  5C024CX41 ,  5C024GX07 ,  5C024GX09 ,  5C024GY31 ,  5F088AA02 ,  5F088AB05 ,  5F088BA01 ,  5F088BB03 ,  5F088BB06 ,  5F088BB07 ,  5F088EA04 ,  5F088HA03 ,  5F088HA12 ,  5F088HA15 ,  5F088KA08 ,  5F088LA07
引用特許：
出願人引用 (7件)
  • 放射線検出装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-250513   出願人：キヤノン株式会社
  • 特開昭61-135153
  • 特開平1-265574
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審査官引用 (7件)
  • 放射線検出装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-250513   出願人：キヤノン株式会社
  • 特開昭61-135153
  • 特開平1-265574
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