特許
J-GLOBAL ID：200903046693693387
不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-103742
公開番号（公開出願番号）：特開平8-298314
出願日： 1995年04月27日
公開日（公表日）： 1996年11月12日
要約：
【要約】【目的】ゲート電極の形成工程を短縮する。【構成】周辺回路領域11の第1ポリシリコン膜4上に形成した第1ゲート酸化膜3を除去した後全面に第2ポリシリコン膜7を形成する。次でメモリセル領域10及び周辺回路領域11のゲート電極形成部に第2フォトレジスト膜8を形成したのちドライエッチングし、制御ゲート電極7A,浮遊ゲート電極4A及びゲート電極9を同一工程で形成する。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上に形成されたメモリセル領域と周辺回路領域と、前記メモリセル領域に順次形成された第1ゲート酸化膜と,第1導電膜からなる浮遊ゲート電極と,第2ゲート酸化膜と,第2導電膜からなる制御ゲート電極と、前記周辺回路領域に順次形成されたゲート酸化膜と,前記第1導電膜と前記第2導電膜の積層膜からなるゲート電極とを含むことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (4件)：
H01L 27/115
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 27/10 434
, H01L 29/78 371
