特許

J-GLOBAL ID：200903046702298054

薄膜集積回路

発明者： 山崎 舜平 ,  荒井 康行 ,  寺本 聡
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-195962
公開番号（公開出願番号）：特開2001-060697
出願日： 1996年02月15日
公開日（公表日）： 2001年03月06日
要約：

【要約】【目的】 アクティブマトリクス型の液晶表示装置においてフレキシビリティーのあるものを提供する。【構成】 ガラス基板101上に薄膜トランジスタを形成し、アクリル樹脂等でなる封止層119を介して透光性を有し、かつ可撓性を有する樹脂基板120を接着する。そして、ガラス基板101を剥離することにより、可撓性を有する樹脂基板120上に薄膜トランジスタが形成された構成を得る。こうして、可撓性を有した樹脂基板を用いたアクティブマトリクス型の液晶表示装置用のパネルを得ることができる。

請求項（抜粋）：

可撓性を有する基板上に下地膜を有し、前記基板の上方に設けられた薄膜集積回路であって、前記薄膜集積回路は薄膜トランジスタを有することを特徴とする薄膜集積回路。

IPC (7件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/1333 500 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/336

FI (7件)：

H01L 29/78 626 C ,  G02F 1/1333 500 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 Z ,  H01L 21/20 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-053737   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特表平6-504139
  
• 特開平4-178633
  
• 半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-048531   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体回路およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-067982   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所