特許
J-GLOBAL ID：200903046735418160
CVDチャンバを清掃した後に調整するための方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-125127
公開番号（公開出願番号）：特開平9-320963
出願日： 1996年05月20日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 CVDチャンバからフッ素残留物と粒子を効果的に除去する。【解決手段】 多工程プロセスが、清掃の後であって、続けて行われる堆積工程の間に、化学蒸着チャンバを調整するのに用いられ、それは水素プラズマでフッ素残留物をチャンバから除去し、続けてチャンバ内に固体化合物を堆積しチャンバ内に残っている粒子を包み込むことによって行われる。
請求項（抜粋）：
チャンバ清掃の後であってその次に行う堆積工程の前に化学蒸着チャンバを調整する方法であって、(a) チャンバ内に水素を流入させ、それからプラズマを形成しフッ素残留物と反応させる工程と、(b) 基板上への堆積工程の前に、固体化合物の層をチャンバ内の内面に堆積させるように、反応条件の下で堆積ガス混合物をチャンバ内に流入する工程とを備える、方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/205
, C23C 16/44 J
