特許
J-GLOBAL ID：200903088786848636
半導体薄膜の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-188043
公開番号（公開出願番号）：特開平8-055804
出願日： 1994年08月10日
公開日（公表日）： 1996年02月27日
要約：
【要約】【構成】 この発明は、半導体薄膜の製造方法であって、半導体薄膜を堆積させる前に、反応炉内をフッ素(F)を含むクリーニング・ガスで清浄する清浄工程と、反応炉内に少なくともシリコン(Si)を含む半導体被膜と,半導体被膜上に窒化被膜もしくは窒素含有酸化被膜を積層して堆積させる堆積工程とを備えている。【効果】 この発明の半導体薄膜の製造方法によれば、清浄工程直後であっても、安定した膜特性が得られ、しかも従来に比べてパーティクル発生量の低い、液晶表示装置に適した半導体薄膜を得ることができる。
請求項（抜粋）：
シリコン(Si)を含む活性化された原料ガスに基づいて反応炉内で基板上に半導体薄膜を堆積させる半導体薄膜の製造方法において、前記半導体薄膜を堆積させる前に、前記反応炉内をフッ素(F)を含むクリーニング・ガスで清浄する清浄工程と、前記反応炉内に少なくとも前記シリコン(Si)を含む半導体被膜と,前記半導体被膜上に窒化被膜もしくは窒素含有酸化被膜を積層して堆積させる堆積工程とを具備したことを特徴とした半導体薄膜の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, G02F 1/136
, H01L 29/786
, H01L 21/336
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (2件)
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