特許
J-GLOBAL ID：200903046748530911
半導体レーザ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-237025
公開番号（公開出願番号）：特開平10-084162
出願日： 1996年09月06日
公開日（公表日）： 1998年03月31日
要約：
【要約】【課題】 優れた特性の半導体レーザ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本方法は、レーザ光をその端面から出射するための化合物半導体層を形成し、プラズマイオンを照射することにより、この端面に形成される酸化膜を除去する。さらに、酸化膜の除去された化合物半導体層の端面に直接接触する反射膜を形成する。
請求項（抜粋）：
レーザ光をその端面から出射するための化合物半導体層を形成する工程と、前記化合物半導体層の前記端面に形成される酸化膜を除去する工程と、前記酸化膜の除去された前記化合物半導体層の前記端面に直接接触する反射膜を形成する工程と、を備える半導体レーザの製造方法。
引用特許：
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