特許
J-GLOBAL ID：200903046755582285

層間絶縁膜製造用塗布組成物

発明者：
王 正宝

王 正宝 について

, 
花畑 博之

花畑 博之 について


出願人/特許権者：
旭化成株式会社

旭化成株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-050160
公開番号（公開出願番号）：特開2003-249495
出願日： 2002年02月26日
公開日（公表日）： 2003年09月05日
要約：
【要約】【課題】 半導体素子の銅配線工程におけるCMP工程に十分耐える高いヤングモジュラスと、低い比誘電率と、高いブレークダウン電圧を同時に達成する層間絶縁膜製造用の塗布組成物の提供。【解決手段】 (A)特定のアルコキシシランおよびその加水分解物、重縮合物から選ばれる少なくとも1種以上の化合物からなるシリカ前駆体と、(B)有機溶媒とを含有し、特定の金属の含有量の合計が最大でも1ppmである結晶化指数が0.14〜0.63の層間絶縁膜製造用塗布組成物。
請求項（抜粋）：
(A)下記一般式(1)および/または一般式(2)で表されるアルコキシシランおよびその加水分解物、重縮合物から選ばれる少なくとも1種以上の化合物からなるシリカ前駆体と、 R1n(Si)(OR2)4-n (1)(式中、R1、R2は同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基を表し、nは0〜3の整数である) R3m(R4O)3-mSi-(R7)p-Si(OR5)3-qR6q (2)(R3,R4,R5およびR6は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基を示し、mおよびqは、同一でも異なっていてもよく、0〜2の数を示し、R7は酸素原子-または(CH2)r-で表される基を示し、rは1〜6を、pは0または1を示す。)(B)有機溶媒と、を含有し、結晶化指数が0.14〜0.63であって、かつ、Fe、Na、K、Ti、Cr、Co、Ni、Cu、Zn、W、Biから選ばれる金属の含有量の合計が最大でも1ppmであることを特徴とする層間絶縁膜製造用塗布組成物。
IPC (3件)：
H01L 21/312 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/768
FI (3件)：
H01L 21/312 C ,  H01L 21/316 G ,  H01L 21/90 S
Fターム (44件)：
5F033GG00 ,  5F033GG02 ,  5F033HH04 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR05 ,  5F033RR06 ,  5F033RR11 ,  5F033RR12 ,  5F033RR13 ,  5F033RR14 ,  5F033RR15 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR23 ,  5F033RR24 ,  5F033RR29 ,  5F033SS22 ,  5F033WW00 ,  5F033XX24 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02 ,  5F058BA01 ,  5F058BA20 ,  5F058BC05 ,  5F058BC20 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ02
引用特許：
審査官引用 (2件)

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