特許
J-GLOBAL ID：200903045421179475

有機ケイ素系重合体の製造方法、膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜

発明者：
井上 靖健

井上 靖健 について

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川井 淳司

川井 淳司 について

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西川 通則

西川 通則 について

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山田 欣司

山田 欣司 について


出願人/特許権者：
ジェイエスアール株式会社

ジェイエスアール株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-363515
公開番号（公開出願番号）：特開2002-037887
出願日： 2000年11月29日
公開日（公表日）： 2002年02月06日
要約：
【要約】【課題】 有機ケイ素系重合体の精製方法およびそれにより得られる有機ケイ素系重合体を含有する膜形成用組成物の製造方法に関し、さらに詳しくは、半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、金属不純物の含有量が少なく、比誘電率特性、低リーク電流特性に優れたシリカ系膜が形成可能な膜形成用組成物の製造方法。【解決手段】 有機ケイ素系重合体を、20°Cにおける水に対する溶解度が100g/100cc以下である有機溶剤に溶解し、その溶液を水または酸性水溶液と接触させて液々抽出を行うことを特徴とする有機ケイ素系重合体の製造方法。
請求項（抜粋）：
有機ケイ素系重合体を、20°Cにおける水に対する溶解度が100g/100cc以下である有機溶剤に溶解し、その溶液を水または酸性水溶液と接触させて液々抽出を行うことを特徴とする有機ケイ素系重合体の製造方法。
IPC (7件)：
C08G 77/34 ,  C09D183/02 ,  C09D183/04 ,  C09D183/08 ,  C09D183/14 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316
FI (7件)：
C08G 77/34 ,  C09D183/02 ,  C09D183/04 ,  C09D183/08 ,  C09D183/14 ,  H01L 21/312 C ,  H01L 21/316 G
Fターム (33件)：
4J035BA06 ,  4J035BA16 ,  4J035CA01U ,  4J035CA02U ,  4J035CA06U ,  4J035CA15U ,  4J035EB03 ,  4J035EB08 ,  4J035LA03 ,  4J035LB02 ,  4J038DL021 ,  4J038DL031 ,  4J038DL051 ,  4J038DL071 ,  4J038DL081 ,  4J038DL111 ,  4J038DL161 ,  4J038LA02 ,  4J038LA03 ,  4J038MA07 ,  4J038MA09 ,  4J038NA17 ,  4J038PB09 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02 ,  5F058BA20 ,  5F058BC05 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ02
引用特許：
審査官引用 (8件)
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