特許

J-GLOBAL ID：200903046770521110

III族窒化物系化合物半導体素子の製造方法

発明者： 渡邉 大志 ,  柴田 直樹 ,  野杁 静代 ,  千代 敏明 ,  伊藤 潤 ,  浅見 慎也
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 小西 富雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-222882
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015443
出願日： 1999年06月30日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：

【要約】【目的】 半導体素子の製造工程において基板温度の変化を少なくし、製造効率の向上を図る。【構成】 300Å以下の表面窒化層を有するサファイア基板の上に1000〜1180°Cの成長温度で膜厚が0.01〜3.2μmのIII族窒化物系化合物半導体層を成長させる。

請求項（抜粋）：

300Å以下の表面窒化層厚を持つ基板の上に1000〜1180°Cの成長温度で膜厚が0.01〜3.2μmのIII族窒化物系化合物半導体層を成長させるステップを含む、ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

Fターム (21件)：

5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA77 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD15 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045AF09 ,  5F045BB02 ,  5F045BB05 ,  5F045BB08 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53 ,  5F045HA06

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 気相成長装置及び結晶成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-347202   出願人：日本電信電話株式会社
• 3-5族化合物半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-307283   出願人：住友化学工業株式会社
• 特開昭63-188938
  

引用文献：

審査官引用 (1件)

• A new buffer layer for high quality GaN growth by metalorganic vapor phase epitaxy