3-5族化合物半導体の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：久保山隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-307283
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148626
出願日： 1995年11月27日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：

【要約】【課題】従来の低温バッファ層を利用する方法よりも製造プロセスを短縮、簡素化でき、また同方法で得られる化合物半導体結晶よりも結晶性に優れ、かつ発光特性に優れた発光素子用3-5族化合物半導体の製造方法を提供する。【解決手段】基板上に3-5族化合物半導体を成長する方法であり、かつ一般式Inx Gay Alz N(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される3-5族化合物半導体からなる発光層を、これに接して、これよりもバンドギャップの大きな層で挟んだ構造を有する発光素子用3-5族化合物半導体の製造方法において、基板上に最初に成長させる層を一般式GaaAlb N(ただし、a+b=1、0≦a≦1、0≦b≦1)で表される3-5族化合物半導体とし、かつこの層の成長温度が、900°C以上1200°C以下であることを特徴とする発光素子用3-5族化合物半導体の製造方法。

請求項（抜粋）：

基板上に3-5族化合物半導体を成長する方法であり、かつ一般式Inx Gay Alz N(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される3-5族化合物半導体からなる発光層を、これに接して、これよりもバンドギャップの大きな層で挟んだ構造を有する発光素子用3-5族化合物半導体の製造方法において、基板上に最初に成長させる層を一般式Gaa Alb N(ただし、a+b=1、0≦a≦1、0≦b≦1)で表される3-5族化合物半導体とし、かつこの層の成長温度が、900°C以上1200°C以下であることを特徴とする発光素子用3-5族化合物半導体の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 33/00 , H01L 21/203 , H01L 21/205 , H01S 3/18

FI (4件)：

H01L 33/00 C , H01L 21/203 M , H01L 21/205 , H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平2-081483
青色発光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-230679 出願人：株式会社東芝
p型AlGaN系半導体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-163217 出願人：三菱電線工業株式会社

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