特許
J-GLOBAL ID：200903046787219824
半導体ウェハ研磨装置及び研磨方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-239496
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087284
出願日： 1997年09月04日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：
【要約】【課題】 半導体ウェハの表面へ研磨傷をつけず、かつ安定した研磨特性で半導体ウェハを研磨できる半導体ウェハ研磨装置を提供する。【解決手段】 半導体ウェハ研磨装置に、研磨スラリー2Aを貯留するためのスラリー供給タンク1と、スラリー供給配管4を経由してスラリー吐出口5に研磨スラリー2Aを圧送するためのスラリー送出ポンプ3と、スラリー供給配管4に超音波を伝搬させるための超音波伝搬装置20と、スラリー吐出口5から吐出された研磨スラリー2Bが塗布されるための研磨布7と、半導体ウェハ9を保持し、研磨スラリー2Bが塗布された研磨布7の表面に該半導体ウェハ9の表面を圧接し、かつ該研磨布7に対して該半導体ウェハ9を相対運動させるためのウェハキャリア8と、研磨布7の表面から流出したスラリー排液を排出するためのスラリー排液配管11とを備える。
請求項（抜粋）：
研磨砥粒を含む研磨スラリーを使用して半導体ウェハを研磨するための半導体ウェハ研磨装置であって、スラリー吐出口へ前記研磨スラリーを供給するためのスラリー供給配管と、前記スラリー吐出口から吐出された研磨スラリーが塗布された状態で前記半導体ウェハを研磨するための研磨布と、前記半導体ウェハを保持し、前記研磨布の前記研磨スラリーが塗布された表面に該保持された半導体ウェハの表面を押し付け、かつ該半導体ウェハが該研磨布に対して相対速度を有するように該半導体ウェハを運動させるためのウェハキャリアと、前記研磨布の表面から流出した研磨スラリーを含むスラリー排液を排出するためのスラリー排液配管と、前記スラリー供給配管から前記スラリー排液配管に至るまでの経路において、該経路に超音波振動を伝搬させるための1つ又は複数の超音波伝搬装置とを備えたことを特徴とする半導体ウェハ研磨装置。
IPC (4件)：
H01L 21/304 321
, H01L 21/304
, B24B 37/00
, B24B 57/04
H01L 21/304 321 E
, H01L 21/304 321 M
, B24B 37/00 E
, B24B 57/04
