特許
J-GLOBAL ID：200903046795407176

半導体装置及びその作製方法

発明者：
坂間 光範

坂間 光範 について

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石丸 典子

石丸 典子 について

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浅見 勇臣

浅見 勇臣 について

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山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-316129
公開番号（公開出願番号）：特開2001-135824
出願日： 1999年11月05日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
要約：
【要約】【課題】 TFTに代表される絶縁ゲート型トランジスタに適したゲート絶縁膜、及びその作製方法を提供し、そのようなゲート絶縁膜を用いTFTのVthやS値などの特性の安定性及び信頼性を確保することを目的とする。【解決手段】 上記問題点を解決するために本発明は、プラズマCVD法でSiH4、N2O、H2を用いて酸化窒化シリコン膜を作製し、この膜をTFTのゲート絶縁膜に適用する。酸化窒化シリコン膜の特性は主にN2OとH2の流量を変化させて制御する。H2の流量の増加により膜中の水素濃度と窒素濃度を上記範囲内において増加させることができる。また、N2Oの流量の増加により膜中の水素濃度と窒素濃度が減少し酸素濃度を高くすることができる。
請求項（抜粋）：
半導体層と、ゲート電極と、前記半導体層と前記ゲート電極との間のゲート絶縁膜とが設けられ、前記ゲート絶縁膜は、少なくとも前記半導体層と接する第1の層と前記ゲート電極と接する第2の層とを有し、前記第1の層は、水素濃度が1.5〜5atomic%で、窒素濃度が2〜15atomic%で、酸素濃度が50〜60atomic%の酸化窒化シリコン膜であり、前記第2の層は、水素濃度が0.1〜2atomic%で、窒素濃度が0.1〜2atomic%で、酸素濃度が60〜65atomic%の酸化窒化シリコン膜であることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/318
FI (3件)：
H01L 21/318 C ,  H01L 29/78 617 U ,  H01L 29/78 617 T
Fターム (74件)：
5F058BB04 ,  5F058BB07 ,  5F058BC11 ,  5F058BD01 ,  5F058BD15 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BF39 ,  5F058BJ10 ,  5F110AA01 ,  5F110AA03 ,  5F110AA06 ,  5F110AA08 ,  5F110AA13 ,  5F110AA19 ,  5F110AA22 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110CC08 ,  5F110DD02 ,  5F110DD07 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD24 ,  5F110EE01 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE15 ,  5F110EE23 ,  5F110EE28 ,  5F110EE44 ,  5F110FF04 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL12 ,  5F110HL23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN12 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ12 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ24 ,  5F110QQ25 ,  5F110QQ28
引用特許：
審査官引用 (2件)

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