特許
J-GLOBAL ID：200903046842100653

半導体装置の製造方法

発明者：
広浜 和浩

広浜 和浩 について

, 
梅本 武

梅本 武 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-354213
公開番号（公開出願番号）：特開2002-158213
出願日： 2000年11月21日
公開日（公表日）： 2002年05月31日
要約：
【要約】【課題】 所定の凹状パターンをエッチングによって形成する際に、凹状パターンの底に堆積する反応生成物を効率良く確実に除去できる半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】 半導体装置の製造方法は、基板上に、窒化珪素膜又は窒化珪素酸化膜からなる第1膜と、シリコン酸化膜からなる第2膜とを順に積層し、第1エッチングガスで第2膜の所定箇所をエッチングする第1工程と、第1工程によって第1膜上に堆積した反応生成物を、第2エッチングガスで除去して第1膜を露出させる第2工程と、第2工程によって露出した第1膜を、第3エッチングガスでエッチングする第3工程と、第3工程によって基板上に堆積した反応生成物を、第4エッチングガスで除去する第4工程とを備え、それによって第1膜及び第2膜を基板表面まで貫通する所定の凹状パターンを形成する。
請求項（抜粋）：
基板上に、窒化珪素膜又は窒化珪素酸化膜からなる第1膜と、シリコン酸化膜からなる第2膜とを順に積層し、第1エッチングガスで第2膜の所定箇所をエッチングする第1工程と、第1工程によって第1膜上に堆積した反応生成物を、第2エッチングガスで除去して第1膜を露出させる第2工程と、第2工程によって露出した第1膜を、第3エッチングガスでエッチングする第3工程と、第3工程によって基板上に堆積した反応生成物を、第4エッチングガスで除去する第4工程とを備え、それによって第1膜及び第2膜を基板表面まで貫通する所定の凹状パターンを形成する半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3213 ,  H01L 21/768
FI (6件)：
H01L 21/28 M ,  H01L 21/28 F ,  H01L 21/302 N ,  H01L 21/88 D ,  H01L 21/90 A ,  H01L 21/90 C
Fターム (55件)：
4M104AA01 ,  4M104BB30 ,  4M104CC01 ,  4M104DD08 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD18 ,  4M104DD22 ,  4M104DD65 ,  4M104EE14 ,  4M104EE17 ,  4M104FF13 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104HH15 ,  5F004AA14 ,  5F004BA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA02 ,  5F004DA16 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004EA28 ,  5F004EB01 ,  5F004EB03 ,  5F033HH07 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ07 ,  5F033KK09 ,  5F033KK18 ,  5F033KK33 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033QQ04 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ95 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033SS12 ,  5F033SS13 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033WW10 ,  5F033XX09
引用特許：
審査官引用 (2件)

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